固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2011年
2期
147-151,184
,共6页
孟德超%张成%周春媛%闫娜%谈熙%闵昊
孟德超%張成%週春媛%閆娜%談熙%閔昊
맹덕초%장성%주춘원%염나%담희%민호
宽带无源下变频混频器%软件无线电接收机%互补金属氧化物半导体
寬帶無源下變頻混頻器%軟件無線電接收機%互補金屬氧化物半導體
관대무원하변빈혼빈기%연건무선전접수궤%호보금속양화물반도체
设计了一个应用于软件无线电接收机中的宽带无源下变频混频器,采用SMIC 0.13μm RF工艺实现,芯片面积0.42 mm<'2>.测试结果表明:在1.2 V电源电压下消耗了9 mA电流,工作频段0.9～2.2 GHz,电压转换增益17 dB,HP3 6～7 dBm,IIP2 40～42 dBm,DSB NF 17.5～18.1 dB,1/f噪声转角频率36～58 kHz.
設計瞭一箇應用于軟件無線電接收機中的寬帶無源下變頻混頻器,採用SMIC 0.13μm RF工藝實現,芯片麵積0.42 mm<'2>.測試結果錶明:在1.2 V電源電壓下消耗瞭9 mA電流,工作頻段0.9～2.2 GHz,電壓轉換增益17 dB,HP3 6～7 dBm,IIP2 40～42 dBm,DSB NF 17.5～18.1 dB,1/f譟聲轉角頻率36～58 kHz.
설계료일개응용우연건무선전접수궤중적관대무원하변빈혼빈기,채용SMIC 0.13μm RF공예실현,심편면적0.42 mm<'2>.측시결과표명:재1.2 V전원전압하소모료9 mA전류,공작빈단0.9～2.2 GHz,전압전환증익17 dB,HP3 6～7 dBm,IIP2 40～42 dBm,DSB NF 17.5～18.1 dB,1/f조성전각빈솔36～58 kHz.
