固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2011年
3期
245-250
,共6页
王玉吉%张成%闫娜%闵昊
王玉吉%張成%閆娜%閔昊
왕옥길%장성%염나%민호
可编程增益放大器%直流失调消除%多模接收机
可編程增益放大器%直流失調消除%多模接收機
가편정증익방대기%직류실조소제%다모접수궤
针对多模接收机的应用,提出了引入一条闭环伪通路技术结构的可编程增益放大器,在保持一定的线性度及噪声性能的基础上,以较低的功耗实现较大的带宽.该电路增益步长为2 dB,增益变化范围1～39 dB.电路中内嵌了直流失调消除模块防止直流漂移引起的阻塞.芯片采用SMIC 0.13 μm 1P8M RF CMOS工艺实现.测试结果表明,在1.2 V电源电压、电压增益为30 dB情况下,芯片输出三阶交调点为27.5 dBm,在最大增益处的噪声系数为25 dB,核心电路功耗仅为2.8 mW.
針對多模接收機的應用,提齣瞭引入一條閉環偽通路技術結構的可編程增益放大器,在保持一定的線性度及譟聲性能的基礎上,以較低的功耗實現較大的帶寬.該電路增益步長為2 dB,增益變化範圍1～39 dB.電路中內嵌瞭直流失調消除模塊防止直流漂移引起的阻塞.芯片採用SMIC 0.13 μm 1P8M RF CMOS工藝實現.測試結果錶明,在1.2 V電源電壓、電壓增益為30 dB情況下,芯片輸齣三階交調點為27.5 dBm,在最大增益處的譟聲繫數為25 dB,覈心電路功耗僅為2.8 mW.
침대다모접수궤적응용,제출료인입일조폐배위통로기술결구적가편정증익방대기,재보지일정적선성도급조성성능적기출상,이교저적공모실현교대적대관.해전로증익보장위2 dB,증익변화범위1～39 dB.전로중내감료직류실조소제모괴방지직류표이인기적조새.심편채용SMIC 0.13 μm 1P8M RF CMOS공예실현.측시결과표명,재1.2 V전원전압、전압증익위30 dB정황하,심편수출삼계교조점위27.5 dBm,재최대증익처적조성계수위25 dB,핵심전로공모부위2.8 mW.
