原子与分子物理学报
原子與分子物理學報
원자여분자물이학보
CHINESE JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS
2012年
2期
273-280
,共8页
邹艳波%刘志锋%刘立仁%吴鹏%祝恒江
鄒豔波%劉誌鋒%劉立仁%吳鵬%祝恆江
추염파%류지봉%류립인%오붕%축항강
InAs团簇%密度泛函理论%几何结构%电子性质
InAs糰簇%密度汎函理論%幾何結構%電子性質
InAs단족%밀도범함이론%궤하결구%전자성질
基于密度泛函理论的第一性原理方法,采用B3LYP下的赝势基组LanL2DZ,研究了InnAs.(n=1～20)团簇的基态几何结构、相对稳定性、电子性质及其振动光谱.结果表明,当n＝5～11时团簇的基态构型为层状结构；当n=12～20时团簇的基态构型为茏状结构.团簇平均结合能、二阶能量差分和HOM()-LUMO能隙均在n=9,12,18出现极大值,说明Ins As9、In12 As12和In18 As18为幻数团簇.另外,HOMO-LUMO能隙的计算结果表明InnAsn(n=1～20)团簇具有宽带隙半导体特征.
基于密度汎函理論的第一性原理方法,採用B3LYP下的贗勢基組LanL2DZ,研究瞭InnAs.(n=1～20)糰簇的基態幾何結構、相對穩定性、電子性質及其振動光譜.結果錶明,噹n＝5～11時糰簇的基態構型為層狀結構；噹n=12～20時糰簇的基態構型為蘢狀結構.糰簇平均結閤能、二階能量差分和HOM()-LUMO能隙均在n=9,12,18齣現極大值,說明Ins As9、In12 As12和In18 As18為幻數糰簇.另外,HOMO-LUMO能隙的計算結果錶明InnAsn(n=1～20)糰簇具有寬帶隙半導體特徵.
기우밀도범함이론적제일성원리방법,채용B3LYP하적안세기조LanL2DZ,연구료InnAs.(n=1～20)단족적기태궤하결구、상대은정성、전자성질급기진동광보.결과표명,당n＝5～11시단족적기태구형위층상결구；당n=12～20시단족적기태구형위롱상결구.단족평균결합능、이계능량차분화HOM()-LUMO능극균재n=9,12,18출현겁대치,설명Ins As9、In12 As12화In18 As18위환수단족.령외,HOMO-LUMO능극적계산결과표명InnAsn(n=1～20)단족구유관대극반도체특정.
