电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2003年
11期
35-37
,共3页
毛翠萍%陈亿裕%韩晓东%江涛
毛翠萍%陳億裕%韓曉東%江濤
모취평%진억유%한효동%강도
双施主掺杂%PTC特性%电阻率%升阻比
雙施主摻雜%PTC特性%電阻率%升阻比
쌍시주참잡%PTC특성%전조솔%승조비
研究了Sb2O3和Ta2O5双施主掺杂对低电阻率的BaTiO3陶瓷PTC特性的影响.在Sb2O3和Ta2O5的摩尔分数分别为0.1%和0.01%时,得到了室温电阻率为4.59 Ω@cm,升阻比为3.4的优质PTCR陶瓷材料.通过XRD 、SEM显微结构分析;复阻抗测试,估计晶粒和晶界电阻值,探讨了Sb2O3和Ta2O5的作用机制.
研究瞭Sb2O3和Ta2O5雙施主摻雜對低電阻率的BaTiO3陶瓷PTC特性的影響.在Sb2O3和Ta2O5的摩爾分數分彆為0.1%和0.01%時,得到瞭室溫電阻率為4.59 Ω@cm,升阻比為3.4的優質PTCR陶瓷材料.通過XRD 、SEM顯微結構分析;複阻抗測試,估計晶粒和晶界電阻值,探討瞭Sb2O3和Ta2O5的作用機製.
연구료Sb2O3화Ta2O5쌍시주참잡대저전조솔적BaTiO3도자PTC특성적영향.재Sb2O3화Ta2O5적마이분수분별위0.1%화0.01%시,득도료실온전조솔위4.59 Ω@cm,승조비위3.4적우질PTCR도자재료.통과XRD 、SEM현미결구분석;복조항측시,고계정립화정계전조치,탐토료Sb2O3화Ta2O5적작용궤제.
