掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中电子对称态和反对称态磁输运研究
참잡InGaAs/InAlAs단양자정중전자대칭태화반대칭태자수운연구
MAGNETO-TRANSPORT OF ELECTRON SYMMETRIC AND ANTISYMMRTRIC STATES IN HIGHLY DOPED InGaAs/InAlAs SINGLE QUANTUM WELL
  • 万方数据
    红外与毫米波学报 홍외여호미파학보
    JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
    2004年 5期 329-332 ,共4页

    仇志军%桂永胜%崔利杰%曾一平%黄志明%疏小舟%戴宁%郭少令%禇君浩

    구지군%계영성%최리걸%증일평%황지명%소소주%대저%곽소령%저군호

    InGaAs/InAlAs量子阱%磁输运%对称态%反对称态 InGaAs/InAlAs量子阱%磁輸運%對稱態%反對稱態
    InGaAs/InAlAs양자정%자수운%대칭태%반대칭태
    利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs/InAlAs单量子阱中二维电子气,发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象.通过分析拍频节点位置,得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为4meV.此外,通过迁移率谱方法和多载流子拟合过程研究了不同迁移率电子的浓度和迁移率随温度的变化关系.
    이용변온Hall측량연구료중참잡InGaAs/InAlAs단양자정중이유전자기,발현재양자정중유우존재전자대칭태화반대칭태도치종향전조출현박빈현상.통과분석박빈절점위치,득도전자대칭태화반대칭태지간적능급간거위4meV.차외,통과천이솔보방법화다재류자의합과정연구료불동천이솔전자적농도화천이솔수온도적변화관계.
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