物理学报
物理學報
물이학보
2007年
2期
977-981
,共5页
马小涛%郑婉华%任刚%樊中朝%陈良惠
馬小濤%鄭婉華%任剛%樊中朝%陳良惠
마소도%정완화%임강%번중조%진량혜
光子晶体%InP/InGaAsP%感应耦合等离子体%Cl2/BCl3%低偏压刻蚀
光子晶體%InP/InGaAsP%感應耦閤等離子體%Cl2/BCl3%低偏壓刻蝕
광자정체%InP/InGaAsP%감응우합등리자체%Cl2/BCl3%저편압각식
为实现基于InP/InGaAsP材料的二维光子晶体结构低损伤、高各向异性的干法刻蚀,研究了对InP材料基于Cl2/BCl3气体的感应耦合等离子体刻蚀.从等离子体轰击使衬底升温的角度分析了刻蚀机理,发现离子轰击加热引起的侧蚀与物理溅射在侧壁再沉积之间处于平衡时可以得到高各向异性刻蚀,平衡点将随ICP功率增高而向偏压减小方向移动,从而在近203 V偏压下得到陡直的侧壁.在优化气体组分后,成功实现了光子晶体结构高各向异性的低偏压刻蚀.
為實現基于InP/InGaAsP材料的二維光子晶體結構低損傷、高各嚮異性的榦法刻蝕,研究瞭對InP材料基于Cl2/BCl3氣體的感應耦閤等離子體刻蝕.從等離子體轟擊使襯底升溫的角度分析瞭刻蝕機理,髮現離子轟擊加熱引起的側蝕與物理濺射在側壁再沉積之間處于平衡時可以得到高各嚮異性刻蝕,平衡點將隨ICP功率增高而嚮偏壓減小方嚮移動,從而在近203 V偏壓下得到陡直的側壁.在優化氣體組分後,成功實現瞭光子晶體結構高各嚮異性的低偏壓刻蝕.
위실현기우InP/InGaAsP재료적이유광자정체결구저손상、고각향이성적간법각식,연구료대InP재료기우Cl2/BCl3기체적감응우합등리자체각식.종등리자체굉격사츤저승온적각도분석료각식궤리,발현리자굉격가열인기적측식여물리천사재측벽재침적지간처우평형시가이득도고각향이성각식,평형점장수ICP공솔증고이향편압감소방향이동,종이재근203 V편압하득도두직적측벽.재우화기체조분후,성공실현료광자정체결구고각향이성적저편압각식.
