核技术
覈技術
핵기술
NUCLEAR TECHNIQUES
2008年
4期
255-259
,共5页
王科范%徐彭寿%张伟风%顾玉宗%郑海务
王科範%徐彭壽%張偉風%顧玉宗%鄭海務
왕과범%서팽수%장위풍%고옥종%정해무
氧化硅薄膜%同步辐射光电子能谱(SRPES)%湿化学法%Ge量子点
氧化硅薄膜%同步輻射光電子能譜(SRPES)%濕化學法%Ge量子點
양화규박막%동보복사광전자능보(SRPES)%습화학법%Ge양자점
用C2H5OH溶液氧化H钝化的Si表面(H-Si)得到一层氧化硅超薄膜.原子力显微镜(AFM,Atomic Force Microscope)的结果显示,氧化前后的表面均非常平整.同步辐射光电子能谱(SRPES,Synchrotron Radiation Photoelectron Spectroscopy)的测试结果表明,氧化膜的主要化学成份为SiO2,其平均厚度为0.24 nm.衬底温度为500℃时,在此氧化膜表面制备出面密度达9.5×1010 cm-2,尺寸集中为(25±5)nn的Ge量子点.初步的生长实验表明,湿化学法制备的氧化硅超薄膜作为外延衬底,可减小Ge量子点的尺寸,提高其面密度.
用C2H5OH溶液氧化H鈍化的Si錶麵(H-Si)得到一層氧化硅超薄膜.原子力顯微鏡(AFM,Atomic Force Microscope)的結果顯示,氧化前後的錶麵均非常平整.同步輻射光電子能譜(SRPES,Synchrotron Radiation Photoelectron Spectroscopy)的測試結果錶明,氧化膜的主要化學成份為SiO2,其平均厚度為0.24 nm.襯底溫度為500℃時,在此氧化膜錶麵製備齣麵密度達9.5×1010 cm-2,呎吋集中為(25±5)nn的Ge量子點.初步的生長實驗錶明,濕化學法製備的氧化硅超薄膜作為外延襯底,可減小Ge量子點的呎吋,提高其麵密度.
용C2H5OH용액양화H둔화적Si표면(H-Si)득도일층양화규초박막.원자력현미경(AFM,Atomic Force Microscope)적결과현시,양화전후적표면균비상평정.동보복사광전자능보(SRPES,Synchrotron Radiation Photoelectron Spectroscopy)적측시결과표명,양화막적주요화학성빈위SiO2,기평균후도위0.24 nm.츤저온도위500℃시,재차양화막표면제비출면밀도체9.5×1010 cm-2,척촌집중위(25±5)nn적Ge양자점.초보적생장실험표명,습화학법제비적양화규초박막작위외연츤저,가감소Ge양자점적척촌,제고기면밀도.
