南昌大学学报（理科版）
南昌大學學報（理科版）
남창대학학보（이과판）
JOURNAL OF NANCHANG UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2009年
2期
164-167
,共4页
于鹏%赵勇%马力%盛广沪%赖珍荃%唐建成
于鵬%趙勇%馬力%盛廣滬%賴珍荃%唐建成
우붕%조용%마력%성엄호%뢰진전%당건성
PFCVAD%靶负压%ZnO%应变
PFCVAD%靶負壓%ZnO%應變
PFCVAD%파부압%ZnO%응변
采用磁过滤阴极脉冲真空弧沉积(pulsed filtered cathodic vacuum arc deposition,PFCVAD)系统,以Si(100)单晶片为衬底,在衬底温度300 ℃、氧气压力4.0×10-2 Pa的条件下制备出了c轴择优取向的ZnO薄膜.通过原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)技术对ZnO薄膜的表征,研究了靶负压对ZnO薄膜结构和应变的影响.研究结果表明,不同靶负压条件下ZnO薄膜的晶粒大小分布在16.7～39.0 nm之间,靶负压对薄膜表面结构影响较小;不同靶负压条件下ZnO薄膜都呈张应力,且张应力随靶负压的增大而增大.
採用磁過濾陰極脈遲真空弧沉積(pulsed filtered cathodic vacuum arc deposition,PFCVAD)繫統,以Si(100)單晶片為襯底,在襯底溫度300 ℃、氧氣壓力4.0×10-2 Pa的條件下製備齣瞭c軸擇優取嚮的ZnO薄膜.通過原子力顯微鏡(AFM)和X射線衍射(XRD)技術對ZnO薄膜的錶徵,研究瞭靶負壓對ZnO薄膜結構和應變的影響.研究結果錶明,不同靶負壓條件下ZnO薄膜的晶粒大小分佈在16.7～39.0 nm之間,靶負壓對薄膜錶麵結構影響較小;不同靶負壓條件下ZnO薄膜都呈張應力,且張應力隨靶負壓的增大而增大.
채용자과려음겁맥충진공호침적(pulsed filtered cathodic vacuum arc deposition,PFCVAD)계통,이Si(100)단정편위츤저,재츤저온도300 ℃、양기압력4.0×10-2 Pa적조건하제비출료c축택우취향적ZnO박막.통과원자력현미경(AFM)화X사선연사(XRD)기술대ZnO박막적표정,연구료파부압대ZnO박막결구화응변적영향.연구결과표명,불동파부압조건하ZnO박막적정립대소분포재16.7～39.0 nm지간,파부압대박막표면결구영향교소;불동파부압조건하ZnO박막도정장응력,차장응력수파부압적증대이증대.
