化学通报（印刷版）
化學通報（印刷版）
화학통보（인쇄판）
CHEMISTRY
2010年
10期
900-904
,共5页
吕海亮%马文玲%杜吉勇%刘军奇
呂海亮%馬文玲%杜吉勇%劉軍奇
려해량%마문령%두길용%류군기
燃烧法%MgGa2O4%光学性质%纳米晶
燃燒法%MgGa2O4%光學性質%納米晶
연소법%MgGa2O4%광학성질%납미정
采用低温燃烧法在500℃成功制备了MgGa2O4及MgGa2O4:Co2+纳米晶.以推进剂化学为理论依据,对原料的配比进行了理论计算,并通过考察不同点火温度、原料配比对产品质量的影响,找出了合成MgGa2O4的优化条件.X-射线衍射、扫描电镜、透射电镜、荧光光谱等方法对产品表征的结果显示,尖晶石型MgGa2O4晶体是反应生成的唯一晶体,燃烧产生的气体使产品包含大量的气孔;合成的晶体结晶度高,排列规整;掺杂的Co2+取代了MgGa2O4晶体中四面体位上的Mg2+;发射光谱中可见光区和近红外光区两个发射峰分别归因于四面体格位中Co2+的4T1(4P)→4A2(4F)能级跃迁和4T1(4P)→4T2(4F)能级跃迁.
採用低溫燃燒法在500℃成功製備瞭MgGa2O4及MgGa2O4:Co2+納米晶.以推進劑化學為理論依據,對原料的配比進行瞭理論計算,併通過攷察不同點火溫度、原料配比對產品質量的影響,找齣瞭閤成MgGa2O4的優化條件.X-射線衍射、掃描電鏡、透射電鏡、熒光光譜等方法對產品錶徵的結果顯示,尖晶石型MgGa2O4晶體是反應生成的唯一晶體,燃燒產生的氣體使產品包含大量的氣孔;閤成的晶體結晶度高,排列規整;摻雜的Co2+取代瞭MgGa2O4晶體中四麵體位上的Mg2+;髮射光譜中可見光區和近紅外光區兩箇髮射峰分彆歸因于四麵體格位中Co2+的4T1(4P)→4A2(4F)能級躍遷和4T1(4P)→4T2(4F)能級躍遷.
채용저온연소법재500℃성공제비료MgGa2O4급MgGa2O4:Co2+납미정.이추진제화학위이론의거,대원료적배비진행료이론계산,병통과고찰불동점화온도、원료배비대산품질량적영향,조출료합성MgGa2O4적우화조건.X-사선연사、소묘전경、투사전경、형광광보등방법대산품표정적결과현시,첨정석형MgGa2O4정체시반응생성적유일정체,연소산생적기체사산품포함대량적기공;합성적정체결정도고,배렬규정;참잡적Co2+취대료MgGa2O4정체중사면체위상적Mg2+;발사광보중가견광구화근홍외광구량개발사봉분별귀인우사면체격위중Co2+적4T1(4P)→4A2(4F)능급약천화4T1(4P)→4T2(4F)능급약천.
