河北工业大学学报
河北工業大學學報
하북공업대학학보
JOURNAL OF HEBEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
2011年
2期
29-31
,共3页
梅俊平%王敏%解新建%刘彩池
梅俊平%王敏%解新建%劉綵池
매준평%왕민%해신건%류채지
GaN薄膜%缓冲层%应力%原子力显微镜%扫描电镜
GaN薄膜%緩遲層%應力%原子力顯微鏡%掃描電鏡
GaN박막%완충층%응력%원자력현미경%소묘전경
用分子束气相外延生长(MBE)法,通过改变缓冲层AIN的生长时间沉积GaN薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱仪(Raman Spectroscropy),测试GaN薄膜的应力、平整度、粗糙度、晶体质量.研究了不同生长时间的缓冲层对GaN薄膜性能的影响,结果发现:生长30min的缓冲层的样品B中的应力小于生长20min缓冲层的样品A,并且样品B在晶体质量、平整度、粗糙度方面均优于样品A.
用分子束氣相外延生長(MBE)法,通過改變緩遲層AIN的生長時間沉積GaN薄膜.用X射線衍射儀(XRD)、掃描電鏡(SEM)、原子力顯微鏡(AFM)和拉曼光譜儀(Raman Spectroscropy),測試GaN薄膜的應力、平整度、粗糙度、晶體質量.研究瞭不同生長時間的緩遲層對GaN薄膜性能的影響,結果髮現:生長30min的緩遲層的樣品B中的應力小于生長20min緩遲層的樣品A,併且樣品B在晶體質量、平整度、粗糙度方麵均優于樣品A.
용분자속기상외연생장(MBE)법,통과개변완충층AIN적생장시간침적GaN박막.용X사선연사의(XRD)、소묘전경(SEM)、원자력현미경(AFM)화랍만광보의(Raman Spectroscropy),측시GaN박막적응력、평정도、조조도、정체질량.연구료불동생장시간적완충층대GaN박막성능적영향,결과발현:생장30min적완충층적양품B중적응력소우생장20min완충층적양품A,병차양품B재정체질량、평정도、조조도방면균우우양품A.
