红外与激光工程
紅外與激光工程
홍외여격광공정
INFRARED AND LASER ENGINEERING
2011年
5期
872-875
,共4页
乌日娜%闫彬%王彦华%徐送宁%闫秀生%岱钦
烏日娜%閆彬%王彥華%徐送寧%閆秀生%岱欽
오일나%염빈%왕언화%서송저%염수생%대흠
光子晶体%透射谱%光子禁带%液晶缺陷层
光子晶體%透射譜%光子禁帶%液晶缺陷層
광자정체%투사보%광자금대%액정결함층
制作了SiO2/TiO2多层膜结构一维光子晶体,研究了其光子禁带特性.通过测量红外透射谱,分析了入射线偏振方向、入射角度以及引入缺陷层对光子禁带的影响.随着入射角度的增大,在TE模式和TM模式线偏振光下,光子禁带边沿产生蓝移现象.引入TEB30A型向列相液晶缺陷后,光子禁带中在波长约为l810nm(TE模式)和182lam(TM模式)处出现了透射峰.利用传输矩阵理论,模拟计算了光子晶体透射谱,并对实验结果进行了深入分析.无缺陷时,随着入射角增大,薄膜的光学厚度减小,光子禁带边沿蓝移.引入液晶缺陷后,光子禁带中产生特定的缺陷态,和缺陷态频率相吻合的光子被局域在缺陷位置,禁带中出现透射峰.由于两种模式线偏振光下的液晶层光学厚度不同,透射峰位置也不同.
製作瞭SiO2/TiO2多層膜結構一維光子晶體,研究瞭其光子禁帶特性.通過測量紅外透射譜,分析瞭入射線偏振方嚮、入射角度以及引入缺陷層對光子禁帶的影響.隨著入射角度的增大,在TE模式和TM模式線偏振光下,光子禁帶邊沿產生藍移現象.引入TEB30A型嚮列相液晶缺陷後,光子禁帶中在波長約為l810nm(TE模式)和182lam(TM模式)處齣現瞭透射峰.利用傳輸矩陣理論,模擬計算瞭光子晶體透射譜,併對實驗結果進行瞭深入分析.無缺陷時,隨著入射角增大,薄膜的光學厚度減小,光子禁帶邊沿藍移.引入液晶缺陷後,光子禁帶中產生特定的缺陷態,和缺陷態頻率相吻閤的光子被跼域在缺陷位置,禁帶中齣現透射峰.由于兩種模式線偏振光下的液晶層光學厚度不同,透射峰位置也不同.
제작료SiO2/TiO2다층막결구일유광자정체,연구료기광자금대특성.통과측량홍외투사보,분석료입사선편진방향、입사각도이급인입결함층대광자금대적영향.수착입사각도적증대,재TE모식화TM모식선편진광하,광자금대변연산생람이현상.인입TEB30A형향렬상액정결함후,광자금대중재파장약위l810nm(TE모식)화182lam(TM모식)처출현료투사봉.이용전수구진이론,모의계산료광자정체투사보,병대실험결과진행료심입분석.무결함시,수착입사각증대,박막적광학후도감소,광자금대변연람이.인입액정결함후,광자금대중산생특정적결함태,화결함태빈솔상문합적광자피국역재결함위치,금대중출현투사봉.유우량충모식선편진광하적액정층광학후도불동,투사봉위치야불동.
