电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2011年
11期
1-4
,共4页
彭森%吴孟强%肖勇%陈黎%姜锐
彭森%吳孟彊%肖勇%陳黎%薑銳
팽삼%오맹강%초용%진려%강예
Ba(Mg1/3Ta2/3)O3%掺杂%介电性能%微波介质陶瓷
Ba(Mg1/3Ta2/3)O3%摻雜%介電性能%微波介質陶瓷
Ba(Mg1/3Ta2/3)O3%참잡%개전성능%미파개질도자
采用传统电子陶瓷工艺合成了BaWO4掺杂的Ba(Mg1/3Ta2/3)O3( BMT)微波介质陶瓷,研究了质量分数w(BaWO4)从2％～8％变化对BMT微波介质陶瓷结构和微波特性的影响.实验结果表明:添加少量的BaWO4能明显改善BMT陶瓷的烧结性能,当w(BaWO4)=4％时,BMT陶瓷的烧结温度由纯相时的1650℃以上降至1400℃,其体积密度为7.562 g/cm3,相对密度达到99％,同时BMT陶瓷体系获得了良好的微波性能:εr26.7,Q·f=98 THz(8 GHz),τf=6.5×10-6/℃.
採用傳統電子陶瓷工藝閤成瞭BaWO4摻雜的Ba(Mg1/3Ta2/3)O3( BMT)微波介質陶瓷,研究瞭質量分數w(BaWO4)從2％～8％變化對BMT微波介質陶瓷結構和微波特性的影響.實驗結果錶明:添加少量的BaWO4能明顯改善BMT陶瓷的燒結性能,噹w(BaWO4)=4％時,BMT陶瓷的燒結溫度由純相時的1650℃以上降至1400℃,其體積密度為7.562 g/cm3,相對密度達到99％,同時BMT陶瓷體繫穫得瞭良好的微波性能:εr26.7,Q·f=98 THz(8 GHz),τf=6.5×10-6/℃.
채용전통전자도자공예합성료BaWO4참잡적Ba(Mg1/3Ta2/3)O3( BMT)미파개질도자,연구료질량분수w(BaWO4)종2％～8％변화대BMT미파개질도자결구화미파특성적영향.실험결과표명:첨가소량적BaWO4능명현개선BMT도자적소결성능,당w(BaWO4)=4％시,BMT도자적소결온도유순상시적1650℃이상강지1400℃,기체적밀도위7.562 g/cm3,상대밀도체도99％,동시BMT도자체계획득료량호적미파성능:εr26.7,Q·f=98 THz(8 GHz),τf=6.5×10-6/℃.
