半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2002年
4期
414-418
,共5页
薄膜晶体管%热电子发射
薄膜晶體管%熱電子髮射
박막정체관%열전자발사
应用场助热电子发射(thermionic field emission)模型合理地分析了多晶硅薄膜晶体管中显著漏电流与器件参数及电极电压等因素间的内在关系,讨论了源漏轻掺杂结构在抑制漏电流方面的物理机制,并给出轻掺杂结构参数(如轻掺杂浓度、轻掺杂区域长度等)的优化设计,为多晶硅薄膜晶体管的器件设计提供了可靠的理论依据.
應用場助熱電子髮射(thermionic field emission)模型閤理地分析瞭多晶硅薄膜晶體管中顯著漏電流與器件參數及電極電壓等因素間的內在關繫,討論瞭源漏輕摻雜結構在抑製漏電流方麵的物理機製,併給齣輕摻雜結構參數(如輕摻雜濃度、輕摻雜區域長度等)的優化設計,為多晶硅薄膜晶體管的器件設計提供瞭可靠的理論依據.
응용장조열전자발사(thermionic field emission)모형합리지분석료다정규박막정체관중현저루전류여기건삼수급전겁전압등인소간적내재관계,토론료원루경참잡결구재억제루전류방면적물리궤제,병급출경참잡결구삼수(여경참잡농도、경참잡구역장도등)적우화설계,위다정규박막정체관적기건설계제공료가고적이론의거.
