电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2004年
2期
224-227
,共4页
孟凡生%朱恩%孙玲%程树东%王志功
孟凡生%硃恩%孫玲%程樹東%王誌功
맹범생%주은%손령%정수동%왕지공
压控振荡器%万兆以太网%模拟电路%互补金属氧化物半导体工艺
壓控振盪器%萬兆以太網%模擬電路%互補金屬氧化物半導體工藝
압공진탕기%만조이태망%모의전로%호보금속양화물반도체공예
给出了一个适用于万兆以太网IEEE802.3ae 10GBASE-X的高线性度全集成单片环形压控振荡器电路.该压控振荡器采用TSMC 0.18 μm CMOS混合信号工艺设计制造,由四级差分延时单元和输出驱动电路组成,芯片总面积为0.3×0.4 mm2.芯片采用1.8 V单电源供电,测得带直接耦合差分50 Ω负载时的总功耗为78 mW,单端输出功率为10.2 dBm,振荡频率在2.8～4.0 GHz有非常好的压控线性度,在振荡器中心频率为3.125 GHz时的单边带相位噪声为-96 dBc/Hz·10 MHz.
給齣瞭一箇適用于萬兆以太網IEEE802.3ae 10GBASE-X的高線性度全集成單片環形壓控振盪器電路.該壓控振盪器採用TSMC 0.18 μm CMOS混閤信號工藝設計製造,由四級差分延時單元和輸齣驅動電路組成,芯片總麵積為0.3×0.4 mm2.芯片採用1.8 V單電源供電,測得帶直接耦閤差分50 Ω負載時的總功耗為78 mW,單耑輸齣功率為10.2 dBm,振盪頻率在2.8～4.0 GHz有非常好的壓控線性度,在振盪器中心頻率為3.125 GHz時的單邊帶相位譟聲為-96 dBc/Hz·10 MHz.
급출료일개괄용우만조이태망IEEE802.3ae 10GBASE-X적고선성도전집성단편배형압공진탕기전로.해압공진탕기채용TSMC 0.18 μm CMOS혼합신호공예설계제조,유사급차분연시단원화수출구동전로조성,심편총면적위0.3×0.4 mm2.심편채용1.8 V단전원공전,측득대직접우합차분50 Ω부재시적총공모위78 mW,단단수출공솔위10.2 dBm,진탕빈솔재2.8～4.0 GHz유비상호적압공선성도,재진탕기중심빈솔위3.125 GHz시적단변대상위조성위-96 dBc/Hz·10 MHz.
