CMOS运算放大器的辐照和退火行为
CMOS운산방대기적복조화퇴화행위
Radiating and Annealing on CMOS Operation Amplifier
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2004年 6期 731-734 ,共4页

    任迪远%陆妩%郭旗%余学锋%王明刚%胡浴红%赵文魁

    임적원%륙무%곽기%여학봉%왕명강%호욕홍%조문괴

    CMOS运算放大器%电离辐射%退火 CMOS運算放大器%電離輻射%退火
    CMOS운산방대기%전리복사%퇴화
    介绍了CMOS运算放大器电路经电离辐照后,在不同偏置及不同退火温度下,运放整体性能参数、电路内部单管特性及功能单元电路的节点电流、电压的变化规律,分析了引起运放辐照后继续损伤退化的基本原因.结果显示,运放电路辐照后的退火行为与偏置及温度均有较大的依赖关系,而这种关系与辐照感生的氧化物电荷和Si/SiO2界面态密度的增长与退火直接相关.
    개소료CMOS운산방대기전로경전리복조후,재불동편치급불동퇴화온도하,운방정체성능삼수、전로내부단관특성급공능단원전로적절점전류、전압적변화규률,분석료인기운방복조후계속손상퇴화적기본원인.결과현시,운방전로복조후적퇴화행위여편치급온도균유교대적의뢰관계,이저충관계여복조감생적양화물전하화Si/SiO2계면태밀도적증장여퇴화직접상관.
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