核技术
覈技術
핵기술
NUCLEAR TECHNIQUES
2004年
7期
494-496
,共3页
吴志浩%周映雪%韦世强%陈栋梁%俞根才%张新夷
吳誌浩%週映雪%韋世彊%陳棟樑%俞根纔%張新夷
오지호%주영설%위세강%진동량%유근재%장신이
分子束外延%ZnO%X射线吸收精细结构
分子束外延%ZnO%X射線吸收精細結構
분자속외연%ZnO%X사선흡수정세결구
利用同步辐射广延X射线吸收精细结构(EXAFS),研究在不同条件下分子束外延制备的ZnO薄膜,如分别在蓝宝石(0001)、Si(100)衬底上,生长温度为200℃或300℃下得到样品的局域结构.发现这些ZnO薄膜的EXAFS函数(k2x(k))谱形状相似,说明各个样品都具有较为相近的基本局域结构.对生长温度为200℃的ZnO/A12O3(0001)和ZnO/Si(100)样品,其Zn-O第一配位峰的无序度σ2分别为0.0054A2和0.0080A2,当生长温度从200℃提高到300℃时,ZnO/A12O3(0001)样品的Zn-O第一配位峰的无序度σ2降为0.0039 A2.结果表明衬底与ZnO的晶格失配度和生长温度对ZnO薄膜的配位数、Zn-O键长影响不大,但较小的晶格失配度和较高的生长温度下得到的ZnO薄膜局域有序性较高;且样品的局域结构越有序,相应的配位峰幅度也越高.
利用同步輻射廣延X射線吸收精細結構(EXAFS),研究在不同條件下分子束外延製備的ZnO薄膜,如分彆在藍寶石(0001)、Si(100)襯底上,生長溫度為200℃或300℃下得到樣品的跼域結構.髮現這些ZnO薄膜的EXAFS函數(k2x(k))譜形狀相似,說明各箇樣品都具有較為相近的基本跼域結構.對生長溫度為200℃的ZnO/A12O3(0001)和ZnO/Si(100)樣品,其Zn-O第一配位峰的無序度σ2分彆為0.0054A2和0.0080A2,噹生長溫度從200℃提高到300℃時,ZnO/A12O3(0001)樣品的Zn-O第一配位峰的無序度σ2降為0.0039 A2.結果錶明襯底與ZnO的晶格失配度和生長溫度對ZnO薄膜的配位數、Zn-O鍵長影響不大,但較小的晶格失配度和較高的生長溫度下得到的ZnO薄膜跼域有序性較高;且樣品的跼域結構越有序,相應的配位峰幅度也越高.
이용동보복사엄연X사선흡수정세결구(EXAFS),연구재불동조건하분자속외연제비적ZnO박막,여분별재람보석(0001)、Si(100)츤저상,생장온도위200℃혹300℃하득도양품적국역결구.발현저사ZnO박막적EXAFS함수(k2x(k))보형상상사,설명각개양품도구유교위상근적기본국역결구.대생장온도위200℃적ZnO/A12O3(0001)화ZnO/Si(100)양품,기Zn-O제일배위봉적무서도σ2분별위0.0054A2화0.0080A2,당생장온도종200℃제고도300℃시,ZnO/A12O3(0001)양품적Zn-O제일배위봉적무서도σ2강위0.0039 A2.결과표명츤저여ZnO적정격실배도화생장온도대ZnO박막적배위수、Zn-O건장영향불대,단교소적정격실배도화교고적생장온도하득도적ZnO박막국역유서성교고;차양품적국역결구월유서,상응적배위봉폭도야월고.
