半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
z1期
126-128
,共3页
许铭真%谭长华%何燕冬%段小蓉
許銘真%譚長華%何燕鼕%段小蓉
허명진%담장화%하연동%단소용
氮氧硅薄膜%软失效电导%软失效时间%缺陷导电
氮氧硅薄膜%軟失效電導%軟失效時間%缺陷導電
담양규박막%연실효전도%연실효시간%결함도전
研究了2.5nm超薄氮氧硅薄膜的软击穿电导特性.统计实验结果表明,软失效电导和软失效时间与环境温度之间均遵从AHhenius规则,而且软失效电导和软失效时间遵从一个反对称的规律.它们源于同一个应力诱生缺陷导电机制.
研究瞭2.5nm超薄氮氧硅薄膜的軟擊穿電導特性.統計實驗結果錶明,軟失效電導和軟失效時間與環境溫度之間均遵從AHhenius規則,而且軟失效電導和軟失效時間遵從一箇反對稱的規律.它們源于同一箇應力誘生缺陷導電機製.
연구료2.5nm초박담양규박막적연격천전도특성.통계실험결과표명,연실효전도화연실효시간여배경온도지간균준종AHhenius규칙,이차연실효전도화연실효시간준종일개반대칭적규률.타문원우동일개응력유생결함도전궤제.
