科技创新导报
科技創新導報
과기창신도보
SCIENCE AND TECHNOLOGY CONSULTING HERALD
2008年
4期
10-10
,共1页
吴现成%闫大为%徐大印%甄聪棉
吳現成%閆大為%徐大印%甄聰棉
오현성%염대위%서대인%견총면
多孔硅%孔隙度%临界电流
多孔硅%孔隙度%臨界電流
다공규%공극도%림계전류
研究多孔硅制备对其光致发光行为的影响,是开发新型光电器件的基础.一般考试三个主要因素:电流密度,腐蚀时间,溶液浓度,这些因素首先对孔隙度产生直接影响,本文提出利用光致发光探测一定辐照面积下吸附形成的Si-C健数量表征局部孔隙度的设想,并实际研究了电流密度呈腐蚀时间对孔隙度的影响.结果表明,一定氢氟酸溶液浓度下随着电流密度的增大,孔隙度先变大后减小,主要有两方面的原因:第一个是临界电流,第二个是横向腐蚀的停止;随着腐蚀时间的延长,孔隙度不断变大.
研究多孔硅製備對其光緻髮光行為的影響,是開髮新型光電器件的基礎.一般攷試三箇主要因素:電流密度,腐蝕時間,溶液濃度,這些因素首先對孔隙度產生直接影響,本文提齣利用光緻髮光探測一定輻照麵積下吸附形成的Si-C健數量錶徵跼部孔隙度的設想,併實際研究瞭電流密度呈腐蝕時間對孔隙度的影響.結果錶明,一定氫氟痠溶液濃度下隨著電流密度的增大,孔隙度先變大後減小,主要有兩方麵的原因:第一箇是臨界電流,第二箇是橫嚮腐蝕的停止;隨著腐蝕時間的延長,孔隙度不斷變大.
연구다공규제비대기광치발광행위적영향,시개발신형광전기건적기출.일반고시삼개주요인소:전류밀도,부식시간,용액농도,저사인소수선대공극도산생직접영향,본문제출이용광치발광탐측일정복조면적하흡부형성적Si-C건수량표정국부공극도적설상,병실제연구료전류밀도정부식시간대공극도적영향.결과표명,일정경불산용액농도하수착전류밀도적증대,공극도선변대후감소,주요유량방면적원인:제일개시림계전류,제이개시횡향부식적정지;수착부식시간적연장,공극도불단변대.
