CAJ | 학술논문

万方数据

固体电子学研究与进展 고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2008年 4期 479-482 ,共4页

张永%李成%赖虹凯%陈松岩%康俊勇%成步文%王启明

장영%리성%뢰홍개%진송암%강준용%성보문%왕계명

锗硅合金%异质结双极型晶体管%锗组分%直流特性鍺硅閤金%異質結雙極型晶體管%鍺組分%直流特性
타규합금%이질결쌍겁형정체관%타조분%직류특성

制作了基区Ge组分分别为0.20和0.23的多发射极指数双台面结构SiGe异质结双极型晶体管(HBT).实验结果表明,基区Ge组分的微小增加,引起了较大的基极复合电流,但减小了总的基极电流,提高了发射结的注入效率,电流增益成倍地提高.Ge组分从0.20增加到0.23,HBT的最大直流电流增益从60增加到158,提高了约2.6倍.
제작료기구Ge조분분별위0.20화0.23적다발사겁지수쌍태면결구SiGe이질결쌍겁형정체관(HBT).실험결과표명,기구Ge조분적미소증가,인기료교대적기겁복합전류,단감소료총적기겁전류,제고료발사결적주입효솔,전류증익성배지제고.Ge조분종0.20증가도0.23,HBT적최대직류전류증익종60증가도158,제고료약2.6배.