昆明理工大学学报（理工版）
昆明理工大學學報（理工版）
곤명리공대학학보（리공판）
JOURNAL OF KUNMING UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY（SCIENCE AND TECHNOLOGY）
2008年
5期
24-28
,共5页
邵宝东%王丽凤%李建云%程赫明
邵寶東%王麗鳳%李建雲%程赫明
소보동%왕려봉%리건운%정혁명
芯片冷却%微槽道热沉%优化设计%数值模拟
芯片冷卻%微槽道熱沉%優化設計%數值模擬
심편냉각%미조도열침%우화설계%수치모의
分析了高热流密度芯片的冷却要求,对微槽道热沉的优化设计和数值模拟进行了研究.优化结果表明,矩形微槽道热沉的冷却效果最好,微槽道的宽度和槽栅的宽度分别为125 μm和50 μm,相应的热阻为8.252 K/W.数值模拟结果表明,芯片最高温度为360.482 K,优化的微槽道热沉完全可以满足高热流芯片对温度的要求.
分析瞭高熱流密度芯片的冷卻要求,對微槽道熱沉的優化設計和數值模擬進行瞭研究.優化結果錶明,矩形微槽道熱沉的冷卻效果最好,微槽道的寬度和槽柵的寬度分彆為125 μm和50 μm,相應的熱阻為8.252 K/W.數值模擬結果錶明,芯片最高溫度為360.482 K,優化的微槽道熱沉完全可以滿足高熱流芯片對溫度的要求.
분석료고열류밀도심편적냉각요구,대미조도열침적우화설계화수치모의진행료연구.우화결과표명,구형미조도열침적냉각효과최호,미조도적관도화조책적관도분별위125 μm화50 μm,상응적열조위8.252 K/W.수치모의결과표명,심편최고온도위360.482 K,우화적미조도열침완전가이만족고열류심편대온도적요구.
