固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2009年
2期
269-275
,共7页
叶强%来新泉%袁冰%李演明%陈富吉
葉彊%來新泉%袁冰%李縯明%陳富吉
협강%래신천%원빙%리연명%진부길
直流一直流%电荷泵%自举%效率%高压金属氧化物半导体管
直流一直流%電荷泵%自舉%效率%高壓金屬氧化物半導體管
직류일직류%전하빙%자거%효솔%고압금속양화물반도체관
为了提高驱动效率,设计了一种新颖的适用于BUCK型DC-DC的驱动电路,在芯片内部采用一个电荷泵和自适应死区时间控制逻辑的驱动电路.当芯片正常工作时,输出级低端LDNMOS管的驱动电平通过较大的电荷泵电容稳定在5.5 V左右,输出级高端LDNMOS管的驱动电平通过自举电容高达29.93 V,从而实现对DC-DC输出级高端和低端的驱动,这样既提高了驱动效率,又减少了对外部多个电源的需求.采用此电路的一款电流模BUCK型DC-DC已在UMC06 μm BCD工艺线投片,芯片效率高达94%,输出级高端和低端LDNMOS的导通电阻为120 mΩ,最大输出电流为5 A,该驱动电路工作良好,芯片面积减小了15.4%.
為瞭提高驅動效率,設計瞭一種新穎的適用于BUCK型DC-DC的驅動電路,在芯片內部採用一箇電荷泵和自適應死區時間控製邏輯的驅動電路.噹芯片正常工作時,輸齣級低耑LDNMOS管的驅動電平通過較大的電荷泵電容穩定在5.5 V左右,輸齣級高耑LDNMOS管的驅動電平通過自舉電容高達29.93 V,從而實現對DC-DC輸齣級高耑和低耑的驅動,這樣既提高瞭驅動效率,又減少瞭對外部多箇電源的需求.採用此電路的一款電流模BUCK型DC-DC已在UMC06 μm BCD工藝線投片,芯片效率高達94%,輸齣級高耑和低耑LDNMOS的導通電阻為120 mΩ,最大輸齣電流為5 A,該驅動電路工作良好,芯片麵積減小瞭15.4%.
위료제고구동효솔,설계료일충신영적괄용우BUCK형DC-DC적구동전로,재심편내부채용일개전하빙화자괄응사구시간공제라집적구동전로.당심편정상공작시,수출급저단LDNMOS관적구동전평통과교대적전하빙전용은정재5.5 V좌우,수출급고단LDNMOS관적구동전평통과자거전용고체29.93 V,종이실현대DC-DC수출급고단화저단적구동,저양기제고료구동효솔,우감소료대외부다개전원적수구.채용차전로적일관전류모BUCK형DC-DC이재UMC06 μm BCD공예선투편,심편효솔고체94%,수출급고단화저단LDNMOS적도통전조위120 mΩ,최대수출전류위5 A,해구동전로공작량호,심편면적감소료15.4%.
