微处理机
微處理機
미처리궤
MICROPROCESSORS
1999年
3期
13-15
,共3页
IDDQ%电流传感器%微分放大器%测试矢量%测试时间%测试精度
IDDQ%電流傳感器%微分放大器%測試矢量%測試時間%測試精度
IDDQ%전류전감기%미분방대기%측시시량%측시시간%측시정도
主要介绍了CMOS电路的IDDQ测试技术.该技术的实现方法有两种:一种是片内IDDQ测试;另一种是片外IDDQ测试.前一种是在被测芯片内,设计一个电流传感器.后者是在被测芯片外的负载板上附加一个小电路,变IDDQ为电压测试,从而达到IDDQ测试的目的.
主要介紹瞭CMOS電路的IDDQ測試技術.該技術的實現方法有兩種:一種是片內IDDQ測試;另一種是片外IDDQ測試.前一種是在被測芯片內,設計一箇電流傳感器.後者是在被測芯片外的負載闆上附加一箇小電路,變IDDQ為電壓測試,從而達到IDDQ測試的目的.
주요개소료CMOS전로적IDDQ측시기술.해기술적실현방법유량충:일충시편내IDDQ측시;령일충시편외IDDQ측시.전일충시재피측심편내,설계일개전류전감기.후자시재피측심편외적부재판상부가일개소전로,변IDDQ위전압측시,종이체도IDDQ측시적목적.