半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
8期
1490-1495
,共6页
王余峰%王志功%吕晓迎%王惠玲
王餘峰%王誌功%呂曉迎%王惠玲
왕여봉%왕지공%려효영%왕혜령
神经信号检测%神经功能信号再生%卡肤电极%CMOS工艺
神經信號檢測%神經功能信號再生%卡膚電極%CMOS工藝
신경신호검측%신경공능신호재생%잡부전겁%CMOS공예
采用CSMC 0.6μm CMOS工艺设计了可用于植入式神经信号检测的放大器芯片.电路适用于卡肤电极系统,包括低噪声前置放大级、由电流模仪表放大器构成的主放大级、输出缓冲级和恒跨导偏置级.电路工作于2.5V/±1.25V,功耗180μW.为满足体内植入式神经信号检测的要求,通过电路改进以避免使用片外元件,实现了单片集成.根据神经信号的特点,电路频率响应带宽设计为59Hz～12.8kHz,增益80dB.采用时域方法测试,芯片达到设计目标,有望用于体内神经信号检测.依据测试结果分析了电路特性并提出改进方法.
採用CSMC 0.6μm CMOS工藝設計瞭可用于植入式神經信號檢測的放大器芯片.電路適用于卡膚電極繫統,包括低譟聲前置放大級、由電流模儀錶放大器構成的主放大級、輸齣緩遲級和恆跨導偏置級.電路工作于2.5V/±1.25V,功耗180μW.為滿足體內植入式神經信號檢測的要求,通過電路改進以避免使用片外元件,實現瞭單片集成.根據神經信號的特點,電路頻率響應帶寬設計為59Hz～12.8kHz,增益80dB.採用時域方法測試,芯片達到設計目標,有望用于體內神經信號檢測.依據測試結果分析瞭電路特性併提齣改進方法.
채용CSMC 0.6μm CMOS공예설계료가용우식입식신경신호검측적방대기심편.전로괄용우잡부전겁계통,포괄저조성전치방대급、유전류모의표방대기구성적주방대급、수출완충급화항과도편치급.전로공작우2.5V/±1.25V,공모180μW.위만족체내식입식신경신호검측적요구,통과전로개진이피면사용편외원건,실현료단편집성.근거신경신호적특점,전로빈솔향응대관설계위59Hz～12.8kHz,증익80dB.채용시역방법측시,심편체도설계목표,유망용우체내신경신호검측.의거측시결과분석료전로특성병제출개진방법.
