半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
z1期
204-207
,共4页
毕京锋%赵建华%邓加军%郑玉宏%王玮竹%李树深
畢京鋒%趙建華%鄧加軍%鄭玉宏%王瑋竹%李樹深
필경봉%조건화%산가군%정옥굉%왕위죽%리수심
半金属%室温铁磁性%分子束外延
半金屬%室溫鐵磁性%分子束外延
반금속%실온철자성%분자속외연
利用低温分子束外延技术分别在InGaAs和GaAs缓冲层上进行了CrAs薄膜的生长.截面高分辨透射电子显微镜图像表明,两种过渡层上生长的CrAs薄膜都保持着闪锌矿结构.利用超导量子干涉仪测量得到的残余磁矩和温度的关系曲线证明了两种过渡层上生长的CrAs薄膜的居里温度均高于400K.闪锌矿结构CrAs薄膜在不同缓冲层上的成功生长将可能拓宽这类具有室温铁磁性新型半金属薄膜在未来半导体自旋电子学领域的应用.
利用低溫分子束外延技術分彆在InGaAs和GaAs緩遲層上進行瞭CrAs薄膜的生長.截麵高分辨透射電子顯微鏡圖像錶明,兩種過渡層上生長的CrAs薄膜都保持著閃鋅礦結構.利用超導量子榦涉儀測量得到的殘餘磁矩和溫度的關繫麯線證明瞭兩種過渡層上生長的CrAs薄膜的居裏溫度均高于400K.閃鋅礦結構CrAs薄膜在不同緩遲層上的成功生長將可能拓寬這類具有室溫鐵磁性新型半金屬薄膜在未來半導體自鏇電子學領域的應用.
이용저온분자속외연기술분별재InGaAs화GaAs완충층상진행료CrAs박막적생장.절면고분변투사전자현미경도상표명,량충과도층상생장적CrAs박막도보지착섬자광결구.이용초도양자간섭의측량득도적잔여자구화온도적관계곡선증명료량충과도층상생장적CrAs박막적거리온도균고우400K.섬자광결구CrAs박막재불동완충층상적성공생장장가능탁관저류구유실온철자성신형반금속박막재미래반도체자선전자학영역적응용.
