微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2012年
2期
238-241
,共4页
张俊安%陈良%杨毓军%张瑞涛%王友华%余金山
張俊安%陳良%楊毓軍%張瑞濤%王友華%餘金山
장준안%진량%양육군%장서도%왕우화%여금산
上电复位电路%低阈值电压%CMOS%NMOS
上電複位電路%低閾值電壓%CMOS%NMOS
상전복위전로%저역치전압%CMOS%NMOS
介绍了一种采用0.18 μm CMOS工艺制作的上电复位电路.为了满足低电源电压的设计要求,采用低阈值电压(约0 V)NMOS管和设计的电路结构,获得了合适的复位电压点；利用反馈结构加速充电,提高了复位信号的陡峭度；利用施密特触发器,增加了电路的迟滞效果.电路全部采用MOS管设计,大大缩小了版图面积.该上电复位电路用于一种数模混合信号芯片,采用0.18 μm CMOS工艺进行流片.芯片样品电路测试表明,该上电复位电路工作状态正常.
介紹瞭一種採用0.18 μm CMOS工藝製作的上電複位電路.為瞭滿足低電源電壓的設計要求,採用低閾值電壓(約0 V)NMOS管和設計的電路結構,穫得瞭閤適的複位電壓點；利用反饋結構加速充電,提高瞭複位信號的陡峭度；利用施密特觸髮器,增加瞭電路的遲滯效果.電路全部採用MOS管設計,大大縮小瞭版圖麵積.該上電複位電路用于一種數模混閤信號芯片,採用0.18 μm CMOS工藝進行流片.芯片樣品電路測試錶明,該上電複位電路工作狀態正常.
개소료일충채용0.18 μm CMOS공예제작적상전복위전로.위료만족저전원전압적설계요구,채용저역치전압(약0 V)NMOS관화설계적전로결구,획득료합괄적복위전압점；이용반궤결구가속충전,제고료복위신호적두초도；이용시밀특촉발기,증가료전로적지체효과.전로전부채용MOS관설계,대대축소료판도면적.해상전복위전로용우일충수모혼합신호심편,채용0.18 μm CMOS공예진행류편.심편양품전로측시표명,해상전복위전로공작상태정상.
