传感器与微系统
傳感器與微繫統
전감기여미계통
TRANSDUCER AND MICROSYSTEM TECHNOLOGY
2007年
7期
54-57
,共4页
韩雷%胡明%吕宇强%梁继然%刘志刚
韓雷%鬍明%呂宇彊%樑繼然%劉誌剛
한뢰%호명%려우강%량계연%류지강
氧化钒%薄膜%磁控溅射%退火%电阻温度系数
氧化釩%薄膜%磁控濺射%退火%電阻溫度繫數
양화범%박막%자공천사%퇴화%전조온도계수
利用对靶磁控溅射法在玻璃基片上制备VOx薄膜,采用正交实验方法研究了镀膜条件对VOx薄膜电阻温度系数(TCR)的影响,得到优化的镀膜工艺参数,主要包括Ar∶O2为48∶0.4、工作压力恒定为2 Pa、基底的温度为室温27℃、溅射功率保持在180 W,在此基础上,进行不同温度条件的真空退火,得到薄膜TCR在-2.5%～-4.5%范围.利用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱法(XPS)分析了退火对提高薄膜TCR的作用,并找出VOx薄膜阻值与TCR的优化组合.同时,还观察到薄膜表面形貌的变化以及退火后薄膜中VO2,V2O3,V2O5的比例变化情况,并对其机理进行解释.
利用對靶磁控濺射法在玻璃基片上製備VOx薄膜,採用正交實驗方法研究瞭鍍膜條件對VOx薄膜電阻溫度繫數(TCR)的影響,得到優化的鍍膜工藝參數,主要包括Ar∶O2為48∶0.4、工作壓力恆定為2 Pa、基底的溫度為室溫27℃、濺射功率保持在180 W,在此基礎上,進行不同溫度條件的真空退火,得到薄膜TCR在-2.5%～-4.5%範圍.利用原子力顯微鏡(AFM)和X射線光電子能譜法(XPS)分析瞭退火對提高薄膜TCR的作用,併找齣VOx薄膜阻值與TCR的優化組閤.同時,還觀察到薄膜錶麵形貌的變化以及退火後薄膜中VO2,V2O3,V2O5的比例變化情況,併對其機理進行解釋.
이용대파자공천사법재파리기편상제비VOx박막,채용정교실험방법연구료도막조건대VOx박막전조온도계수(TCR)적영향,득도우화적도막공예삼수,주요포괄Ar∶O2위48∶0.4、공작압력항정위2 Pa、기저적온도위실온27℃、천사공솔보지재180 W,재차기출상,진행불동온도조건적진공퇴화,득도박막TCR재-2.5%～-4.5%범위.이용원자력현미경(AFM)화X사선광전자능보법(XPS)분석료퇴화대제고박막TCR적작용,병조출VOx박막조치여TCR적우화조합.동시,환관찰도박막표면형모적변화이급퇴화후박막중VO2,V2O3,V2O5적비례변화정황,병대기궤리진행해석.
