电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2008年
4期
23-24,27
,共3页
华杰%刘梅%徐仕翀%李海波
華傑%劉梅%徐仕翀%李海波
화걸%류매%서사충%리해파
无机非金属材料%铁氧体%纳米复合材料%sol-gel法%结构%磁性能
無機非金屬材料%鐵氧體%納米複閤材料%sol-gel法%結構%磁性能
무궤비금속재료%철양체%납미복합재료%sol-gel법%결구%자성능
以正硅酸乙酯和硝酸盐为原料,采用sol-gel法制备了Ni0.25Cu0.25Zn0.5Fe2O4/SiO2纳米复合材料.利用TGA/DTA,XRD,TEM和VSM,研究了热处理过程中,干凝胶的变化及样品的结构、晶粒尺寸和磁性.结果表明:由于样品中SiO2在高温下晶化,随着热处理温度的升高,样品的比饱和磁化强度和矫顽力先增大后减小.经900℃热处理后,样品中Ni0.25Cu0.25Zn0.5Fe2O4粒径约为30nm,比饱和磁化强度Ms为50Am2·kg-1,矫顽力Hc为4.22kA·m-1.
以正硅痠乙酯和硝痠鹽為原料,採用sol-gel法製備瞭Ni0.25Cu0.25Zn0.5Fe2O4/SiO2納米複閤材料.利用TGA/DTA,XRD,TEM和VSM,研究瞭熱處理過程中,榦凝膠的變化及樣品的結構、晶粒呎吋和磁性.結果錶明:由于樣品中SiO2在高溫下晶化,隨著熱處理溫度的升高,樣品的比飽和磁化彊度和矯頑力先增大後減小.經900℃熱處理後,樣品中Ni0.25Cu0.25Zn0.5Fe2O4粒徑約為30nm,比飽和磁化彊度Ms為50Am2·kg-1,矯頑力Hc為4.22kA·m-1.
이정규산을지화초산염위원료,채용sol-gel법제비료Ni0.25Cu0.25Zn0.5Fe2O4/SiO2납미복합재료.이용TGA/DTA,XRD,TEM화VSM,연구료열처리과정중,간응효적변화급양품적결구、정립척촌화자성.결과표명:유우양품중SiO2재고온하정화,수착열처리온도적승고,양품적비포화자화강도화교완력선증대후감소.경900℃열처리후,양품중Ni0.25Cu0.25Zn0.5Fe2O4립경약위30nm,비포화자화강도Ms위50Am2·kg-1,교완력Hc위4.22kA·m-1.
