CAJ | 학술논문

采用真空蒸镀的方法制备了以八羟基喹啉铝(Alqb)为功能层的单层同质结有机电致发光器件,器件结构为indium-lin-oxide(rro)/tris(8-hydroxylquinoline)-aluminum(Alq3)(x nm)/Mg:Ag.通过改变有机功能层的厚度,采用陷阱电荷限制电流(眦)理论对器件电流的数值拟合方法具体地研究了不同薄膜厚度的有机半导体器件内部电流的传导机制,验证了实验结果和理论推导的一致性.结果表明,Alq3层厚度较低的单层器件随外加电压增大,器件电流经历了从欧姆电导区、TEIE区到TCLC.空间电荷限制电流(SCLC)过渡区三个区域的变化;而对于Alq3层厚度较高的单层器件,Alq3层中的陷阱机构增多,导致电流一电压曲线的SCLC区域消失.
채용진공증도적방법제비료이팔간기규람려(Alqb)위공능층적단층동질결유궤전치발광기건,기건결구위indium-lin-oxide(rro)/tris(8-hydroxylquinoline)-aluminum(Alq3)(x nm)/Mg:Ag.통과개변유궤공능층적후도,채용함정전하한제전류(자)이론대기건전류적수치의합방법구체지연구료불동박막후도적유궤반도체기건내부전류적전도궤제,험증료실험결과화이론추도적일치성.결과표명,Alq3층후도교저적단층기건수외가전압증대,기건전류경력료종구모전도구、TEIE구도TCLC.공간전하한제전류(SCLC)과도구삼개구역적변화;이대우Alq3층후도교고적단층기건,Alq3층중적함정궤구증다,도치전류일전압곡선적SCLC구역소실.