人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2010年
5期
1256-1260
,共5页
樊志琴%张君德%李瑞%蔡根旺%黄浩%王建星%康广生
樊誌琴%張君德%李瑞%蔡根旺%黃浩%王建星%康廣生
번지금%장군덕%리서%채근왕%황호%왕건성%강엄생
正交设计%碳纳米管%MPCVD%电化学性能
正交設計%碳納米管%MPCVD%電化學性能
정교설계%탄납미관%MPCVD%전화학성능
利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法,在附着有催化剂的石墨片衬底上原位沉积了碳纳米管膜电极.通过正交设计方法综合研究了反应温度、镍膜厚度、沉积时间、甲烷流量对碳纳米管膜电化学性能的影响.结果表明:不同条件下制备的碳纳米管膜的电化学性能有很大差异,其中起主要作用是甲烷流量和反应温度.保持工作压强(6.5×103 Pa)和氢气的流量(100 sccm)不变,温度为700~800 ℃时,甲烷流量为5 sccm,Ni膜厚度为150 nm,生长时间为5 min,所得碳纳米管膜电极电化学性能最佳,氧化峰电流最大,达到14 nA.
利用微波等離子體化學氣相沉積(MPCVD)方法,在附著有催化劑的石墨片襯底上原位沉積瞭碳納米管膜電極.通過正交設計方法綜閤研究瞭反應溫度、鎳膜厚度、沉積時間、甲烷流量對碳納米管膜電化學性能的影響.結果錶明:不同條件下製備的碳納米管膜的電化學性能有很大差異,其中起主要作用是甲烷流量和反應溫度.保持工作壓彊(6.5×103 Pa)和氫氣的流量(100 sccm)不變,溫度為700~800 ℃時,甲烷流量為5 sccm,Ni膜厚度為150 nm,生長時間為5 min,所得碳納米管膜電極電化學性能最佳,氧化峰電流最大,達到14 nA.
이용미파등리자체화학기상침적(MPCVD)방법,재부착유최화제적석묵편츤저상원위침적료탄납미관막전겁.통과정교설계방법종합연구료반응온도、얼막후도、침적시간、갑완류량대탄납미관막전화학성능적영향.결과표명:불동조건하제비적탄납미관막적전화학성능유흔대차이,기중기주요작용시갑완류량화반응온도.보지공작압강(6.5×103 Pa)화경기적류량(100 sccm)불변,온도위700~800 ℃시,갑완류량위5 sccm,Ni막후도위150 nm,생장시간위5 min,소득탄납미관막전겁전화학성능최가,양화봉전류최대,체도14 nA.
