粉末冶金材料科学与工程
粉末冶金材料科學與工程
분말야금재료과학여공정
POWDER METALLURGY MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING
2010年
5期
511-515
,共5页
张翔%李军%廖寄乔%谭周建
張翔%李軍%廖寄喬%譚週建
장상%리군%료기교%담주건
炭/炭复合材料%CNT-SiC复合涂层%碳纳米管%CVD
炭/炭複閤材料%CNT-SiC複閤塗層%碳納米管%CVD
탄/탄복합재료%CNT-SiC복합도층%탄납미관%CVD
以三氯甲基硅烷(CH3SiCl3)为前驱体,采用化学气相沉积法(Chemicalvapordeposition,CVD),在原位生长有碳纳米管(Carbonnanotubes,CNTs)的CIC复合材料表面制备Sic涂层.用扫描电镜(SEM)和X射线能谱仪(EDS)观察和分析涂层微观形貌及成份.研究沉积温度(1000～1150℃)对Sic涂层的表面、截面以及sic颗粒的微观形貌的影响.结果表明:在1000℃下反应时,得到晶须状Sic;沉积温度为1050℃时涂层平整、致密:沉积温度提高到1100℃时,涂层粗糙,致密度下降:1150℃下形成类似岛状组织,Sic颗粒团聚长大,涂层粗糙,并有很多裂纹和孔洞,致密度低.对涂层成份和断口形貌研究表明,基体和涂层之间有1个过渡区,Sic涂层和基体之间结合良好.
以三氯甲基硅烷(CH3SiCl3)為前驅體,採用化學氣相沉積法(Chemicalvapordeposition,CVD),在原位生長有碳納米管(Carbonnanotubes,CNTs)的CIC複閤材料錶麵製備Sic塗層.用掃描電鏡(SEM)和X射線能譜儀(EDS)觀察和分析塗層微觀形貌及成份.研究沉積溫度(1000～1150℃)對Sic塗層的錶麵、截麵以及sic顆粒的微觀形貌的影響.結果錶明:在1000℃下反應時,得到晶鬚狀Sic;沉積溫度為1050℃時塗層平整、緻密:沉積溫度提高到1100℃時,塗層粗糙,緻密度下降:1150℃下形成類似島狀組織,Sic顆粒糰聚長大,塗層粗糙,併有很多裂紋和孔洞,緻密度低.對塗層成份和斷口形貌研究錶明,基體和塗層之間有1箇過渡區,Sic塗層和基體之間結閤良好.
이삼록갑기규완(CH3SiCl3)위전구체,채용화학기상침적법(Chemicalvapordeposition,CVD),재원위생장유탄납미관(Carbonnanotubes,CNTs)적CIC복합재료표면제비Sic도층.용소묘전경(SEM)화X사선능보의(EDS)관찰화분석도층미관형모급성빈.연구침적온도(1000～1150℃)대Sic도층적표면、절면이급sic과립적미관형모적영향.결과표명:재1000℃하반응시,득도정수상Sic;침적온도위1050℃시도층평정、치밀:침적온도제고도1100℃시,도층조조,치밀도하강:1150℃하형성유사도상조직,Sic과립단취장대,도층조조,병유흔다렬문화공동,치밀도저.대도층성빈화단구형모연구표명,기체화도층지간유1개과도구,Sic도층화기체지간결합량호.
