CAJ | 학술논문

为消除紫外线对硅基薄膜太阳能电池的热损害,并进一步提高电池转换效率,提出在硅基薄膜太阳能电池顶部低温下制备一薄层纳米硅薄膜.在P型(100)硅片上采用电子回旋共振微波等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)技术交替沉积SiO2/Si/SiO2层,改变衬底温度和H2流量沉积纳米硅薄膜,探讨低温下直接制备纳米硅薄膜的工艺.实验结果表明,在低温下,薄膜以非晶相为主,局部分布有零星的网格状晶化相,随着温度的升高,晶化趋势增加,晶化相颗粒大小在5 ～8 nm;当H2流量在20 ～40 mL/min变化时,随着流量的增加,薄膜晶化相增多,纳米硅尺寸在5～10 nm,但H2流量超过30 mL/min后,随着H2流量的增加,薄膜晶化率下降,纳米硅颗粒减少.利用H等离子体原位刻蚀方法,可明显改善薄膜晶化效果,经原位刻蚀处理后纳米晶颗粒尺寸及分布比较均匀,颗粒大小在6nm左右.
위소제자외선대규기박막태양능전지적열손해,병진일보제고전지전환효솔,제출재규기박막태양능전지정부저온하제비일박층납미규박막.재P형(100)규편상채용전자회선공진미파등리자체증강화학기상침적(ECR-PECVD)기술교체침적SiO2/Si/SiO2층,개변츤저온도화H2류량침적납미규박막,탐토저온하직접제비납미규박막적공예.실험결과표명,재저온하,박막이비정상위주,국부분포유령성적망격상정화상,수착온도적승고,정화추세증가,정화상과립대소재5 ～8 nm;당H2류량재20 ～40 mL/min변화시,수착류량적증가,박막정화상증다,납미규척촌재5～10 nm,단H2류량초과30 mL/min후,수착H2류량적증가,박막정화솔하강,납미규과립감소.이용H등리자체원위각식방법,가명현개선박막정화효과,경원위각식처리후납미정과립척촌급분포비교균균,과립대소재6nm좌우.