固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2012年
2期
175-179
,共5页
N:ZnO薄膜%掺杂%溶胶-凝胶法%受主%电离能
N:ZnO薄膜%摻雜%溶膠-凝膠法%受主%電離能
N:ZnO박막%참잡%용효-응효법%수주%전리능
使用溶胶-凝胶法制备N:ZnO薄膜,用X射线衍射仪(XRD)对晶体结构进行表征,用扫描电子显微镜(SEM)观察薄膜表面形貌,用荧光光谱仪测量低温(8 K)及变温条件(8～200 K)下的光致发光(PL)光谱.分析了各个发射峰的形成机理,通过薄膜缺陷态发光和受主能级的关联性,计算出了N作为受主所需电离能的大小在0.255～0.31 eV范围内.研究结果为以后P型ZnO薄膜的制备和研究提供了依据.
使用溶膠-凝膠法製備N:ZnO薄膜,用X射線衍射儀(XRD)對晶體結構進行錶徵,用掃描電子顯微鏡(SEM)觀察薄膜錶麵形貌,用熒光光譜儀測量低溫(8 K)及變溫條件(8～200 K)下的光緻髮光(PL)光譜.分析瞭各箇髮射峰的形成機理,通過薄膜缺陷態髮光和受主能級的關聯性,計算齣瞭N作為受主所需電離能的大小在0.255～0.31 eV範圍內.研究結果為以後P型ZnO薄膜的製備和研究提供瞭依據.
사용용효-응효법제비N:ZnO박막,용X사선연사의(XRD)대정체결구진행표정,용소묘전자현미경(SEM)관찰박막표면형모,용형광광보의측량저온(8 K)급변온조건(8～200 K)하적광치발광(PL)광보.분석료각개발사봉적형성궤리,통과박막결함태발광화수주능급적관련성,계산출료N작위수주소수전리능적대소재0.255～0.31 eV범위내.연구결과위이후P형ZnO박막적제비화연구제공료의거.
