高技术通讯
高技術通訊
고기술통신
HIGH TECHNOLOGY LETTERS
2005年
10期
62-67
,共6页
刘宗顺%赵德刚%朱建军%张书明%沈晓明%段俐宏%杨辉
劉宗順%趙德剛%硃建軍%張書明%瀋曉明%段俐宏%楊輝
류종순%조덕강%주건군%장서명%침효명%단리굉%양휘
氮化镓%肖特基结%紫外探测器%光淬灭
氮化鎵%肖特基結%紫外探測器%光淬滅
담화가%초특기결%자외탐측기%광쉬멸
测量了GaN肖特基结紫外探测器在有、无光照下的I-V异常特性.分别用362nm和368nm光束对有源区进行横向扫描,得到了光照不同部位时探测器在无偏压、2V反向偏压下的电流.紫外光照到肖特基结压焊电极附近及透明电极边沿附近区域时,探测器在反向偏压下有较大增益,空间响应均匀性变差,在禁带内有两个增益响应峰波长--364nm和368nm.探测器在810nm光照射下,反向偏压下的光响应增益、持续光电导存在光淬灭现象.探测器紫外光照完后,俘获中心及表面陷阱所俘获的部分电荷在高反向偏置电压下老化可以通过隧穿或发射效应释放出来,经过高反向偏置电压老化完后的探测器在同一低反向偏置电压下暗电流比老化前的要小.测量结果为GaN器件的研制提供了参考数据.
測量瞭GaN肖特基結紫外探測器在有、無光照下的I-V異常特性.分彆用362nm和368nm光束對有源區進行橫嚮掃描,得到瞭光照不同部位時探測器在無偏壓、2V反嚮偏壓下的電流.紫外光照到肖特基結壓銲電極附近及透明電極邊沿附近區域時,探測器在反嚮偏壓下有較大增益,空間響應均勻性變差,在禁帶內有兩箇增益響應峰波長--364nm和368nm.探測器在810nm光照射下,反嚮偏壓下的光響應增益、持續光電導存在光淬滅現象.探測器紫外光照完後,俘穫中心及錶麵陷阱所俘穫的部分電荷在高反嚮偏置電壓下老化可以通過隧穿或髮射效應釋放齣來,經過高反嚮偏置電壓老化完後的探測器在同一低反嚮偏置電壓下暗電流比老化前的要小.測量結果為GaN器件的研製提供瞭參攷數據.
측량료GaN초특기결자외탐측기재유、무광조하적I-V이상특성.분별용362nm화368nm광속대유원구진행횡향소묘,득도료광조불동부위시탐측기재무편압、2V반향편압하적전류.자외광조도초특기결압한전겁부근급투명전겁변연부근구역시,탐측기재반향편압하유교대증익,공간향응균균성변차,재금대내유량개증익향응봉파장--364nm화368nm.탐측기재810nm광조사하,반향편압하적광향응증익、지속광전도존재광쉬멸현상.탐측기자외광조완후,부획중심급표면함정소부획적부분전하재고반향편치전압하노화가이통과수천혹발사효응석방출래,경과고반향편치전압노화완후적탐측기재동일저반향편치전압하암전류비노화전적요소.측량결과위GaN기건적연제제공료삼고수거.
