Cu/,Ni/4H-SiC Schottky势垒的退火研究
Cu/,Ni/4H-SiC Schottky세루적퇴화연구
Anealing Effect on Cu/, Ni/4H-SiC Schottky Barrier
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2005年 z1期 277-280 ,共4页

    杨伟锋%杨克勤%陈厦平%张峰%王良均%吴正云

    양위봉%양극근%진하평%장봉%왕량균%오정운

    4H-SiC%Schottky势垒高度%退火 4H-SiC%Schottky勢壘高度%退火
    4H-SiC%Schottky세루고도%퇴화
    采用磁控溅射方法分别在n型4H-SiC上沉积Cu,Ni金属薄膜形成Schottky接触,并进行不同温度下的退火,通过I-V和C-V测试,研究不同退火温度对Schottky势垒高度以及理想因子的影响.研究结果表明,对Cu,Ni金属,适当的退火温度能提高其与4H-SiC所形成的Schottky势垒高度,改善理想因子,但若退火温度过高,则会导致接触的整流特性退化.器件在退火前后,反向漏电流都较小.热电子发射是其主要的输运机理.所制备的金属半导体接触界面比较理想,无强烈费米能级钉扎.
    채용자공천사방법분별재n형4H-SiC상침적Cu,Ni금속박막형성Schottky접촉,병진행불동온도하적퇴화,통과I-V화C-V측시,연구불동퇴화온도대Schottky세루고도이급이상인자적영향.연구결과표명,대Cu,Ni금속,괄당적퇴화온도능제고기여4H-SiC소형성적Schottky세루고도,개선이상인자,단약퇴화온도과고,칙회도치접촉적정류특성퇴화.기건재퇴화전후,반향루전류도교소.열전자발사시기주요적수운궤리.소제비적금속반도체접촉계면비교이상,무강렬비미능급정찰.
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