半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
9期
748-751,755
,共5页
激光二极管%功率转换效率%阈值电流密度%光束发散角%近衍射极限
激光二極管%功率轉換效率%閾值電流密度%光束髮散角%近衍射極限
격광이겁관%공솔전환효솔%역치전류밀도%광속발산각%근연사겁한
半导体激光器在军事领域和工业领域有着广泛应用,近年在性能参数方面有许多引人瞩目的进展.综述了提高功率转换效率的技术方法和途径,指出经过工艺优化后焦耳热和阈值热将是未来激光器的主要研究内容,介绍了波长稳定的激光器的两种制作方法,即外光栅法和内光栅法,激光器的波长稳定性达到0.1 nm/K以下.在外延材料结构中采用各种形式的大光腔结构设计,可以扩展近场光斑,从而使半导体激光器的光束发散角达到25°甚至更低.对较热门的近衍射极限激光器的制作方法进行了介绍,分析了不同方法的优缺点及应用情况.
半導體激光器在軍事領域和工業領域有著廣汎應用,近年在性能參數方麵有許多引人矚目的進展.綜述瞭提高功率轉換效率的技術方法和途徑,指齣經過工藝優化後焦耳熱和閾值熱將是未來激光器的主要研究內容,介紹瞭波長穩定的激光器的兩種製作方法,即外光柵法和內光柵法,激光器的波長穩定性達到0.1 nm/K以下.在外延材料結構中採用各種形式的大光腔結構設計,可以擴展近場光斑,從而使半導體激光器的光束髮散角達到25°甚至更低.對較熱門的近衍射極限激光器的製作方法進行瞭介紹,分析瞭不同方法的優缺點及應用情況.
반도체격광기재군사영역화공업영역유착엄범응용,근년재성능삼수방면유허다인인촉목적진전.종술료제고공솔전환효솔적기술방법화도경,지출경과공예우화후초이열화역치열장시미래격광기적주요연구내용,개소료파장은정적격광기적량충제작방법,즉외광책법화내광책법,격광기적파장은정성체도0.1 nm/K이하.재외연재료결구중채용각충형식적대광강결구설계,가이확전근장광반,종이사반도체격광기적광속발산각체도25°심지경저.대교열문적근연사겁한격광기적제작방법진행료개소,분석료불동방법적우결점급응용정황.
