激光与红外
激光與紅外
격광여홍외
LASER & INFRARED
2009年
5期
489-492
,共4页
冯志辉%岳永坚%刘恩海%周武林
馮誌輝%嶽永堅%劉恩海%週武林
풍지휘%악영견%류은해%주무림
半导体激光驱动源%脉冲电流%上升时间%脉宽%重复频率%DE150
半導體激光驅動源%脈遲電流%上升時間%脈寬%重複頻率%DE150
반도체격광구동원%맥충전류%상승시간%맥관%중복빈솔%DE150
总结了一种基于射频MOSFET管的高速大电流窄脉宽半导体激光驱动源设计方法,运用PSpice对整个驱动电路进行了仿真,最后利用DE150-201N09A MOSFET管制作了面积为12cm2的电路板,测试结果表明半导体激光器输出电流脉宽10ns左右、上升时间4ns,最大脉冲电流27A,最高重复频率可达50 kHz.
總結瞭一種基于射頻MOSFET管的高速大電流窄脈寬半導體激光驅動源設計方法,運用PSpice對整箇驅動電路進行瞭倣真,最後利用DE150-201N09A MOSFET管製作瞭麵積為12cm2的電路闆,測試結果錶明半導體激光器輸齣電流脈寬10ns左右、上升時間4ns,最大脈遲電流27A,最高重複頻率可達50 kHz.
총결료일충기우사빈MOSFET관적고속대전류착맥관반도체격광구동원설계방법,운용PSpice대정개구동전로진행료방진,최후이용DE150-201N09A MOSFET관제작료면적위12cm2적전로판,측시결과표명반도체격광기수출전류맥관10ns좌우、상승시간4ns,최대맥충전류27A,최고중복빈솔가체50 kHz.
