微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2012年
2期
134-139
,共6页
余协正%叶迎华%沈瑞琪%李创新
餘協正%葉迎華%瀋瑞琪%李創新
여협정%협영화%침서기%리창신
微电子机械系统(MEMS)%四甲基氢氧化铵(TMAH)%各向异性刻蚀%过硫酸铵(AP)%粗糙度
微電子機械繫統(MEMS)%四甲基氫氧化銨(TMAH)%各嚮異性刻蝕%過硫痠銨(AP)%粗糙度
미전자궤계계통(MEMS)%사갑기경양화안(TMAH)%각향이성각식%과류산안(AP)%조조도
为了提高低浓度下四甲基氢氧化铵(TMAH)体硅刻蚀的质量,通过对质量分数为5％的TMAH进行研究,发现合适的过硫酸铵(AP)添加方式和添加量能够在不降低刻蚀速率的条件下提高体硅刻蚀质量.通过SEM,EDS和XRD对AP的作用机理进行深入分析,发现加入AP能使刻蚀底面生成“伪掩膜”,并确定其成分为低温石英晶体.这些“伪掩膜”能够选择性地覆盖于刻蚀底面金字塔小丘的交界区域,使刻蚀底面相对凹陷的部分被保护,而金字塔顶相对凸出的部分则被刻蚀,从而在宏观上达到了降低粗糙度的效果.在此基础上得到了“两步法”的优化刻蚀工艺,结合该工艺已成功制备出深度485 μm,平均刻蚀速率1.01 μm/min,底面粗糙度仅为0.278 μm硅杯微结构.
為瞭提高低濃度下四甲基氫氧化銨(TMAH)體硅刻蝕的質量,通過對質量分數為5％的TMAH進行研究,髮現閤適的過硫痠銨(AP)添加方式和添加量能夠在不降低刻蝕速率的條件下提高體硅刻蝕質量.通過SEM,EDS和XRD對AP的作用機理進行深入分析,髮現加入AP能使刻蝕底麵生成“偽掩膜”,併確定其成分為低溫石英晶體.這些“偽掩膜”能夠選擇性地覆蓋于刻蝕底麵金字塔小丘的交界區域,使刻蝕底麵相對凹陷的部分被保護,而金字塔頂相對凸齣的部分則被刻蝕,從而在宏觀上達到瞭降低粗糙度的效果.在此基礎上得到瞭“兩步法”的優化刻蝕工藝,結閤該工藝已成功製備齣深度485 μm,平均刻蝕速率1.01 μm/min,底麵粗糙度僅為0.278 μm硅杯微結構.
위료제고저농도하사갑기경양화안(TMAH)체규각식적질량,통과대질량분수위5％적TMAH진행연구,발현합괄적과류산안(AP)첨가방식화첨가량능구재불강저각식속솔적조건하제고체규각식질량.통과SEM,EDS화XRD대AP적작용궤리진행심입분석,발현가입AP능사각식저면생성“위엄막”,병학정기성분위저온석영정체.저사“위엄막”능구선택성지복개우각식저면금자탑소구적교계구역,사각식저면상대요함적부분피보호,이금자탑정상대철출적부분칙피각식,종이재굉관상체도료강저조조도적효과.재차기출상득도료“량보법”적우화각식공예,결합해공예이성공제비출심도485 μm,평균각식속솔1.01 μm/min,저면조조도부위0.278 μm규배미결구.
