电子器件
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전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2012年
2期
125-129
,共5页
张耿%王娟%向桂华%蔡君蕊%孙庆华%赵伟明
張耿%王娟%嚮桂華%蔡君蕊%孫慶華%趙偉明
장경%왕연%향계화%채군예%손경화%조위명
薄膜晶体管%IGZO膜%溅射气体%脉冲直流
薄膜晶體管%IGZO膜%濺射氣體%脈遲直流
박막정체관%IGZO막%천사기체%맥충직류
采用脉冲直流( Pulsed DC)方式和不同的单组份气体(Ar、O2、N2)溅射制作IGZO,研究了缺氧(Ar)、富氧(O2)、氧替代(N2)三种情形下的IGZO-TFT特性.通过AES、XRD、AFM等分析手段,考察了不同气体制备的IGZO膜以及相应靶材的成分及结构,发现不同的溅射气体对IGZO膜的成分比例和电学结构具有重要的影响.实验结果表明,Ar-IGZO TFT在退火后具有良好的特性,S值为1 V/dec,迁移率可达8.3 cm2/Vs,开关比Ion/I(of)≥105.
採用脈遲直流( Pulsed DC)方式和不同的單組份氣體(Ar、O2、N2)濺射製作IGZO,研究瞭缺氧(Ar)、富氧(O2)、氧替代(N2)三種情形下的IGZO-TFT特性.通過AES、XRD、AFM等分析手段,攷察瞭不同氣體製備的IGZO膜以及相應靶材的成分及結構,髮現不同的濺射氣體對IGZO膜的成分比例和電學結構具有重要的影響.實驗結果錶明,Ar-IGZO TFT在退火後具有良好的特性,S值為1 V/dec,遷移率可達8.3 cm2/Vs,開關比Ion/I(of)≥105.
채용맥충직류( Pulsed DC)방식화불동적단조빈기체(Ar、O2、N2)천사제작IGZO,연구료결양(Ar)、부양(O2)、양체대(N2)삼충정형하적IGZO-TFT특성.통과AES、XRD、AFM등분석수단,고찰료불동기체제비적IGZO막이급상응파재적성분급결구,발현불동적천사기체대IGZO막적성분비례화전학결구구유중요적영향.실험결과표명,Ar-IGZO TFT재퇴화후구유량호적특성,S치위1 V/dec,천이솔가체8.3 cm2/Vs,개관비Ion/I(of)≥105.
