微细加工技术
微細加工技術
미세가공기술
MICROFABRICATION TECHNOLOGY
2007年
1期
36-40
,共5页
吴振宇%杨银堂%汪家友%柴常春
吳振宇%楊銀堂%汪傢友%柴常春
오진우%양은당%왕가우%시상춘
a-C∶F%等离子体刻蚀%表面形貌%XPS
a-C∶F%等離子體刻蝕%錶麵形貌%XPS
a-C∶F%등리자체각식%표면형모%XPS
以SF6/O2为刻蚀气体, 采用电子回旋共振等离子体反应离子刻蚀(ECR-RIE)方法进行了氟化非晶碳(a-C:F)低介电常数薄膜的等离子体刻蚀技术研究,结果表明,a-C:F薄膜的刻蚀速率取决于薄膜中C-CFx与CFx两类基团刻蚀过程,富C-CFx结构的a-C:F薄膜刻蚀速率在O2含量约20%时达到最大,而富CFx结构的a-C:F薄膜刻蚀速率随O2的增大而减小.AFM分析表明,SF6气体刻蚀a-C:F薄膜可以有效消除薄膜表面的团聚结构.XPS能谱分析表明, SF6气体刻蚀a-C:F薄膜样品化学组分未发生变化, 而O2气体刻蚀后在样品表面形成富C的 a-C:F层.该研究结果为a-C:F应用于超大规模集成电路层间介质工艺奠定了必要的实验基础.
以SF6/O2為刻蝕氣體, 採用電子迴鏇共振等離子體反應離子刻蝕(ECR-RIE)方法進行瞭氟化非晶碳(a-C:F)低介電常數薄膜的等離子體刻蝕技術研究,結果錶明,a-C:F薄膜的刻蝕速率取決于薄膜中C-CFx與CFx兩類基糰刻蝕過程,富C-CFx結構的a-C:F薄膜刻蝕速率在O2含量約20%時達到最大,而富CFx結構的a-C:F薄膜刻蝕速率隨O2的增大而減小.AFM分析錶明,SF6氣體刻蝕a-C:F薄膜可以有效消除薄膜錶麵的糰聚結構.XPS能譜分析錶明, SF6氣體刻蝕a-C:F薄膜樣品化學組分未髮生變化, 而O2氣體刻蝕後在樣品錶麵形成富C的 a-C:F層.該研究結果為a-C:F應用于超大規模集成電路層間介質工藝奠定瞭必要的實驗基礎.
이SF6/O2위각식기체, 채용전자회선공진등리자체반응리자각식(ECR-RIE)방법진행료불화비정탄(a-C:F)저개전상수박막적등리자체각식기술연구,결과표명,a-C:F박막적각식속솔취결우박막중C-CFx여CFx량류기단각식과정,부C-CFx결구적a-C:F박막각식속솔재O2함량약20%시체도최대,이부CFx결구적a-C:F박막각식속솔수O2적증대이감소.AFM분석표명,SF6기체각식a-C:F박막가이유효소제박막표면적단취결구.XPS능보분석표명, SF6기체각식a-C:F박막양품화학조분미발생변화, 이O2기체각식후재양품표면형성부C적 a-C:F층.해연구결과위a-C:F응용우초대규모집성전로층간개질공예전정료필요적실험기출.
