竖直式HVPE反应系统的理论模拟与GaN厚膜生长
수직식HVPE반응계통적이론모의여GaN후막생장
Theoretical Simulation of Vertical HVPE Reactor and GaN Thick Film Growth
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2007年 z1期 253-256 ,共4页

    马平%段垚%魏同波%段瑞飞%王军喜%曾一平%李晋闽

    마평%단요%위동파%단서비%왕군희%증일평%리진민

    氢化物气相外延%理论模拟%GaN 氫化物氣相外延%理論模擬%GaN
    경화물기상외연%이론모의%GaN
    根据流体动力学模型,研究了反应气体在反应室内的浓度分布,以及反应室的温场分布.NH3浓度在衬底附近分布均匀,而GaCl浓度在衬底中心区域较大,周边较小.实验结果表明,外延层在中心区生长速率为260μm/h,周边为140/μm/h.X射线摇摆曲线半高宽为141".O杂质的引入,使得样品具有较强的黄光发射.
    근거류체동역학모형,연구료반응기체재반응실내적농도분포,이급반응실적온장분포.NH3농도재츤저부근분포균균,이GaCl농도재츤저중심구역교대,주변교소.실험결과표명,외연층재중심구생장속솔위260μm/h,주변위140/μm/h.X사선요파곡선반고관위141".O잡질적인입,사득양품구유교강적황광발사.
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