半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
z1期
430-434
,共5页
孟祥提%王吉林%黄强%贾宏勇%陈培毅%钱佩信
孟祥提%王吉林%黃彊%賈宏勇%陳培毅%錢珮信
맹상제%왕길림%황강%가굉용%진배의%전패신
SiGe HBT%电子辐照%γ射线辐照%Si BJT%直流增益
SiGe HBT%電子輻照%γ射線輻照%Si BJT%直流增益
SiGe HBT%전자복조%γ사선복조%Si BJT%직류증익
比较了电子和γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流增益β的变化.在Vbe≤0.5V时,较高剂量辐照时SiGe HBT的放大倍数辐照损伤因子d(β)为负;在Vbe≥0.5V时,SiGe HBT的d(β)远比Si BJT的小.SiGe HBT有更好的抗辐照性能.针对测得的一些电子陷阱对辐照致性能变化的影响进行了讨论.
比較瞭電子和γ射線輻照後SiGe HBT和Si BJT直流增益β的變化.在Vbe≤0.5V時,較高劑量輻照時SiGe HBT的放大倍數輻照損傷因子d(β)為負;在Vbe≥0.5V時,SiGe HBT的d(β)遠比Si BJT的小.SiGe HBT有更好的抗輻照性能.針對測得的一些電子陷阱對輻照緻性能變化的影響進行瞭討論.
비교료전자화γ사선복조후SiGe HBT화Si BJT직류증익β적변화.재Vbe≤0.5V시,교고제량복조시SiGe HBT적방대배수복조손상인자d(β)위부;재Vbe≥0.5V시,SiGe HBT적d(β)원비Si BJT적소.SiGe HBT유경호적항복조성능.침대측득적일사전자함정대복조치성능변화적영향진행료토론.
