陕西科技大学学报（自然科学版）
陝西科技大學學報（自然科學版）
협서과기대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SHAANXI UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNOLOGY
2010年
1期
124-127
,共4页
姚毅%张方辉%靳宝安%张麦丽%马颖
姚毅%張方輝%靳寶安%張麥麗%馬穎
요의%장방휘%근보안%장맥려%마영
费米分布%费米能级%波尔兹曼分布
費米分佈%費米能級%波爾玆曼分佈
비미분포%비미능급%파이자만분포
在考虑禁带特性的情况下,从理论上探讨了半导体中电子与空穴的分布.以Si为例,利用MATLAB定量分析了不同能量时本征Si半导体中电子占据导带底的几率-温度关系和不同温度时电子占据导带底的几率-能量关系.分析结果表明:导带中绝大多数电子分布在导带底附近,价带中绝大多数空穴分布在价带顶附近;温度越高,电子占据导带底的几率越大,温度每升高20 K,电子占据的几率增加大约4到5倍;导带中能级具有的能量越高,电子占据该能级的几率越低,能量每增加0.02 eV,电子占据的几率下降大约1/2.
在攷慮禁帶特性的情況下,從理論上探討瞭半導體中電子與空穴的分佈.以Si為例,利用MATLAB定量分析瞭不同能量時本徵Si半導體中電子佔據導帶底的幾率-溫度關繫和不同溫度時電子佔據導帶底的幾率-能量關繫.分析結果錶明:導帶中絕大多數電子分佈在導帶底附近,價帶中絕大多數空穴分佈在價帶頂附近;溫度越高,電子佔據導帶底的幾率越大,溫度每升高20 K,電子佔據的幾率增加大約4到5倍;導帶中能級具有的能量越高,電子佔據該能級的幾率越低,能量每增加0.02 eV,電子佔據的幾率下降大約1/2.
재고필금대특성적정황하,종이론상탐토료반도체중전자여공혈적분포.이Si위례,이용MATLAB정량분석료불동능량시본정Si반도체중전자점거도대저적궤솔-온도관계화불동온도시전자점거도대저적궤솔-능량관계.분석결과표명:도대중절대다수전자분포재도대저부근,개대중절대다수공혈분포재개대정부근;온도월고,전자점거도대저적궤솔월대,온도매승고20 K,전자점거적궤솔증가대약4도5배;도대중능급구유적능량월고,전자점거해능급적궤솔월저,능량매증가0.02 eV,전자점거적궤솔하강대약1/2.
