材料研究学报
材料研究學報
재료연구학보
CHINESE JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH
2000年
5期
493-496
,共4页
王忠柯%黄新堂%王又清%王秋良%陈清明
王忠柯%黃新堂%王又清%王鞦良%陳清明
왕충가%황신당%왕우청%왕추량%진청명
准分子脉冲激光%YBCO薄膜%高临界电流密度%NiCr合金基底%织构
準分子脈遲激光%YBCO薄膜%高臨界電流密度%NiCr閤金基底%織構
준분자맥충격광%YBCO박막%고림계전류밀도%NiCr합금기저%직구
应用氧离子束辅助准分子脉冲激光沉积薄膜技术,先在NiCr合金(Hastelloy c-275)基底上在室温下淀积具有平面织构的钇稳锆(YSZ)缓冲层薄膜,再在YSZ/NiCr基底上在750℃下制备具有平面织构和高临界电流密度的YBa2Cu3O7-x(YBCO)薄膜.YSZ和YBCO薄膜都为c-轴取向和平面织构的,YSZ(202)和YBCO(103)的X射线扫描衍射峰的全宽半峰值分别为18°和11°.YBCO薄膜的临界温度和临界电流密度分别为90K(R=0)和7.9×105A/cm2(77K,零磁场).
應用氧離子束輔助準分子脈遲激光沉積薄膜技術,先在NiCr閤金(Hastelloy c-275)基底上在室溫下澱積具有平麵織構的釔穩鋯(YSZ)緩遲層薄膜,再在YSZ/NiCr基底上在750℃下製備具有平麵織構和高臨界電流密度的YBa2Cu3O7-x(YBCO)薄膜.YSZ和YBCO薄膜都為c-軸取嚮和平麵織構的,YSZ(202)和YBCO(103)的X射線掃描衍射峰的全寬半峰值分彆為18°和11°.YBCO薄膜的臨界溫度和臨界電流密度分彆為90K(R=0)和7.9×105A/cm2(77K,零磁場).
응용양리자속보조준분자맥충격광침적박막기술,선재NiCr합금(Hastelloy c-275)기저상재실온하정적구유평면직구적을은고(YSZ)완충층박막,재재YSZ/NiCr기저상재750℃하제비구유평면직구화고림계전류밀도적YBa2Cu3O7-x(YBCO)박막.YSZ화YBCO박막도위c-축취향화평면직구적,YSZ(202)화YBCO(103)적X사선소묘연사봉적전관반봉치분별위18°화11°.YBCO박막적림계온도화림계전류밀도분별위90K(R=0)화7.9×105A/cm2(77K,령자장).
