半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2004年
6期
71-75
,共5页
陈蒲生%刘剑%张昊%冯文修
陳蒲生%劉劍%張昊%馮文脩
진포생%류검%장호%풍문수
等离子体增强化学汽相淀积%薄介质膜%I-V特性%击穿机理%电学性能
等離子體增彊化學汽相澱積%薄介質膜%I-V特性%擊穿機理%電學性能
등리자체증강화학기상정적%박개질막%I-V특성%격천궤리%전학성능
对等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)法制成纳米级SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品,通过美国HP系列设备测试I-V特性、准静态及高频C-V特性.分析了薄膜I-V特性、击穿机理与各项电学性能;探讨了膜的击穿电场等电学参数以及击穿电场随反应室气压、混合气体比例、衬底温度的变化关系;给出了击穿等电性优良的PECVD形成SiOxNy薄介质膜的优化工艺条件.
對等離子體增彊化學汽相澱積(PECVD)法製成納米級SiOxNy薄膜組成的MIS結構樣品,通過美國HP繫列設備測試I-V特性、準靜態及高頻C-V特性.分析瞭薄膜I-V特性、擊穿機理與各項電學性能;探討瞭膜的擊穿電場等電學參數以及擊穿電場隨反應室氣壓、混閤氣體比例、襯底溫度的變化關繫;給齣瞭擊穿等電性優良的PECVD形成SiOxNy薄介質膜的優化工藝條件.
대등리자체증강화학기상정적(PECVD)법제성납미급SiOxNy박막조성적MIS결구양품,통과미국HP계렬설비측시I-V특성、준정태급고빈C-V특성.분석료박막I-V특성、격천궤리여각항전학성능;탐토료막적격천전장등전학삼수이급격천전장수반응실기압、혼합기체비례、츤저온도적변화관계;급출료격천등전성우량적PECVD형성SiOxNy박개질막적우화공예조건.
