半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
10期
1818-1822
,共5页
池雅庆%郝跃%冯辉%方粮
池雅慶%郝躍%馮輝%方糧
지아경%학약%풍휘%방량
LDMOS%RESURF%漏区边界曲率半径%击穿电压%导通电阻
LDMOS%RESURF%漏區邊界麯率半徑%擊穿電壓%導通電阻
LDMOS%RESURF%루구변계곡솔반경%격천전압%도통전조
分析了漏区边界曲率半径与射频RESURF LDMOS击穿电压的关系,指出漏区边界的弯曲对RESURF技术的效果具有强化作用.理论分析与模拟结果表明,满足RESURF条件时,提高漂移区掺杂浓度或掺杂深度的同时相应减小漏区边界的曲率半径,可以在维持击穿电压不变的前提下,明显降低导通电阻.
分析瞭漏區邊界麯率半徑與射頻RESURF LDMOS擊穿電壓的關繫,指齣漏區邊界的彎麯對RESURF技術的效果具有彊化作用.理論分析與模擬結果錶明,滿足RESURF條件時,提高漂移區摻雜濃度或摻雜深度的同時相應減小漏區邊界的麯率半徑,可以在維持擊穿電壓不變的前提下,明顯降低導通電阻.
분석료루구변계곡솔반경여사빈RESURF LDMOS격천전압적관계,지출루구변계적만곡대RESURF기술적효과구유강화작용.이론분석여모의결과표명,만족RESURF조건시,제고표이구참잡농도혹참잡심도적동시상응감소루구변계적곡솔반경,가이재유지격천전압불변적전제하,명현강저도통전조.
