光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2007年
2期
216-219
,共4页
低压MOCVD%p-GaN%InGaN/GaN%圆形传输线模型(CTLM)
低壓MOCVD%p-GaN%InGaN/GaN%圓形傳輸線模型(CTLM)
저압MOCVD%p-GaN%InGaN/GaN%원형전수선모형(CTLM)
利用低压MOCVD系统,获得了p-GaN和p-InGaN/GaN超晶格结构2种材料,用圆形传输线模型(CTLM)测量了它们的比接触电阻率,并对表面处理、金属沉积和合金化处理的工艺条件进行了优化,得到了550℃、O2氛围下合金30 min的最佳条件,获得最低的比接触电阻率为1.99×10-4 Ω·cm2.
利用低壓MOCVD繫統,穫得瞭p-GaN和p-InGaN/GaN超晶格結構2種材料,用圓形傳輸線模型(CTLM)測量瞭它們的比接觸電阻率,併對錶麵處理、金屬沉積和閤金化處理的工藝條件進行瞭優化,得到瞭550℃、O2氛圍下閤金30 min的最佳條件,穫得最低的比接觸電阻率為1.99×10-4 Ω·cm2.
이용저압MOCVD계통,획득료p-GaN화p-InGaN/GaN초정격결구2충재료,용원형전수선모형(CTLM)측량료타문적비접촉전조솔,병대표면처리、금속침적화합금화처리적공예조건진행료우화,득도료550℃、O2분위하합금30 min적최가조건,획득최저적비접촉전조솔위1.99×10-4 Ω·cm2.
