物理学报
物理學報
물이학보
2007年
3期
1617-1620
,共4页
GaN/AlN量子点结构%有效质量理论%电子能级
GaN/AlN量子點結構%有效質量理論%電子能級
GaN/AlN양자점결구%유효질량이론%전자능급
根据有效质量理论单带模型,采用有限元方法(FEM)计算了GaN/AlN量子点结构中的电子结构,分析了应变和极化对电子结构的影响,计算了不同尺寸的量子点的能级,分析了量子点的大小对电子能级的影响.结果表明,形变势和压电势提升了电子能级,而且使简并能级分裂.随着量子点尺寸的增大,量子限制能减小,而压电势能起到更显著的作用,使电子的能级降低,吸收峰发生红移.
根據有效質量理論單帶模型,採用有限元方法(FEM)計算瞭GaN/AlN量子點結構中的電子結構,分析瞭應變和極化對電子結構的影響,計算瞭不同呎吋的量子點的能級,分析瞭量子點的大小對電子能級的影響.結果錶明,形變勢和壓電勢提升瞭電子能級,而且使簡併能級分裂.隨著量子點呎吋的增大,量子限製能減小,而壓電勢能起到更顯著的作用,使電子的能級降低,吸收峰髮生紅移.
근거유효질량이론단대모형,채용유한원방법(FEM)계산료GaN/AlN양자점결구중적전자결구,분석료응변화겁화대전자결구적영향,계산료불동척촌적양자점적능급,분석료양자점적대소대전자능급적영향.결과표명,형변세화압전세제승료전자능급,이차사간병능급분렬.수착양자점척촌적증대,양자한제능감소,이압전세능기도경현저적작용,사전자적능급강저,흡수봉발생홍이.
