半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
7期
1069-1071
,共3页
Hg3-3xIn2xTe3%晶体生长%垂直布里奇曼法%光电半导体材料%近红外探测器
Hg3-3xIn2xTe3%晶體生長%垂直佈裏奇曼法%光電半導體材料%近紅外探測器
Hg3-3xIn2xTe3%정체생장%수직포리기만법%광전반도체재료%근홍외탐측기
利用垂直Bridgman法成功生长了Hg3-3χIn2χTe3(MIT)(χ=0.5)单晶体,并用XRD,RO-XRD及霍尔测量对晶体的结晶质量及电学性能进行了研究.结果表明,所生长的晶体为单相的高质量单晶体;切割晶面为(311)面,位于θ=23.86°,晶面偏离角φ=2.9°,取向分散度FWHM=0.3°;晶体的导电类型为n型,电阻率为4.79×102Ω·cm,载流子浓度为2.83×1013 cm-3,载流子迁移率为4.6×102 cm2/(V·s).晶体的费米能级位于禁带中线以上8meV处,载流子浓度的计算值和实验测量值基本符合.
利用垂直Bridgman法成功生長瞭Hg3-3χIn2χTe3(MIT)(χ=0.5)單晶體,併用XRD,RO-XRD及霍爾測量對晶體的結晶質量及電學性能進行瞭研究.結果錶明,所生長的晶體為單相的高質量單晶體;切割晶麵為(311)麵,位于θ=23.86°,晶麵偏離角φ=2.9°,取嚮分散度FWHM=0.3°;晶體的導電類型為n型,電阻率為4.79×102Ω·cm,載流子濃度為2.83×1013 cm-3,載流子遷移率為4.6×102 cm2/(V·s).晶體的費米能級位于禁帶中線以上8meV處,載流子濃度的計算值和實驗測量值基本符閤.
이용수직Bridgman법성공생장료Hg3-3χIn2χTe3(MIT)(χ=0.5)단정체,병용XRD,RO-XRD급곽이측량대정체적결정질량급전학성능진행료연구.결과표명,소생장적정체위단상적고질량단정체;절할정면위(311)면,위우θ=23.86°,정면편리각φ=2.9°,취향분산도FWHM=0.3°;정체적도전류형위n형,전조솔위4.79×102Ω·cm,재류자농도위2.83×1013 cm-3,재류자천이솔위4.6×102 cm2/(V·s).정체적비미능급위우금대중선이상8meV처,재류자농도적계산치화실험측량치기본부합.
