山东建筑大学学报
山東建築大學學報
산동건축대학학보
JOURNAL OF SHANDONG JIANZHU UNIVERSITY
2009年
3期
212-214
,共3页
秦希峰%季燕菊%王凤翔%付刚%赵优美
秦希峰%季燕菊%王鳳翔%付剛%趙優美
진희봉%계연국%왕봉상%부강%조우미
离子注入%卢瑟福背散射技术%射程分布
離子註入%盧瑟福揹散射技術%射程分佈
리자주입%로슬복배산사기술%사정분포
用400 keV能量的铒离子垂直注入晶体硅(Si)样品中.利用卢瑟福背散射技术研究了能量为400 keV、剂量为5×1015ions/cm2的铒离子注入Si晶体的平均投影射程、射程离散和深度分布.测出的实验值和TRIM'98得到的理论模拟值进行了比较,发现实验值跟TRIM'98模拟计算的理论值符合较好.
用400 keV能量的鉺離子垂直註入晶體硅(Si)樣品中.利用盧瑟福揹散射技術研究瞭能量為400 keV、劑量為5×1015ions/cm2的鉺離子註入Si晶體的平均投影射程、射程離散和深度分佈.測齣的實驗值和TRIM'98得到的理論模擬值進行瞭比較,髮現實驗值跟TRIM'98模擬計算的理論值符閤較好.
용400 keV능량적이리자수직주입정체규(Si)양품중.이용로슬복배산사기술연구료능량위400 keV、제량위5×1015ions/cm2적이리자주입Si정체적평균투영사정、사정리산화심도분포.측출적실험치화TRIM'98득도적이론모의치진행료비교,발현실험치근TRIM'98모의계산적이론치부합교호.
