真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2010年
3期
229-235
,共7页
秦尤敏%吕晓丹%宁建平%A.Bogaerts%苟富君
秦尤敏%呂曉丹%寧建平%A.Bogaerts%茍富君
진우민%려효단%저건평%A.Bogaerts%구부군
分子动力学%作用机制%刻蚀%表面富F样品%表面富C样品
分子動力學%作用機製%刻蝕%錶麵富F樣品%錶麵富C樣品
분자동역학%작용궤제%각식%표면부F양품%표면부C양품
采用分子动力学方法模拟了Ar+与表面含有C,F反应层的Si样品的相互作用过程,以了解Ar+与氟化的Si的作用机制.为了和相对应的实验结果做比较,选择了两种样品,表面富F样品和表面富C样品.模拟结果表明,对于表面富F样品,能清楚地看到Si的刻蚀且随着入射能量的增加Si的刻蚀增加.当入射Ar+数量到达一定程度后Si的刻蚀完全停止.对于富C样品,几乎没有发生Si的刻蚀,这是由于Si-C键对Si的刻蚀起阻碍作用.
採用分子動力學方法模擬瞭Ar+與錶麵含有C,F反應層的Si樣品的相互作用過程,以瞭解Ar+與氟化的Si的作用機製.為瞭和相對應的實驗結果做比較,選擇瞭兩種樣品,錶麵富F樣品和錶麵富C樣品.模擬結果錶明,對于錶麵富F樣品,能清楚地看到Si的刻蝕且隨著入射能量的增加Si的刻蝕增加.噹入射Ar+數量到達一定程度後Si的刻蝕完全停止.對于富C樣品,幾乎沒有髮生Si的刻蝕,這是由于Si-C鍵對Si的刻蝕起阻礙作用.
채용분자동역학방법모의료Ar+여표면함유C,F반응층적Si양품적상호작용과정,이료해Ar+여불화적Si적작용궤제.위료화상대응적실험결과주비교,선택료량충양품,표면부F양품화표면부C양품.모의결과표명,대우표면부F양품,능청초지간도Si적각식차수착입사능량적증가Si적각식증가.당입사Ar+수량도체일정정도후Si적각식완전정지.대우부C양품,궤호몰유발생Si적각식,저시유우Si-C건대Si적각식기조애작용.
